[发明专利]基板处理装置

说明书

本申请是申请号为200410082408.4、申请日为2004年9月17日、发明名称为“基板处理装置以及处理方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及例如对半导体片、LCD基板或其它基板实施规定处理的基板处理装置及其处理方法。

背景技术

在液晶显示装置(LCD)之类的制造工序之中，在由玻璃构成的LCD基板上形成规定的膜之后，涂布形成感光性有机膜(以下称之为“保护膜”)，通过曝光成电路图形，以及称之为显影处理的所谓光刻技术形成电路图形，通过对此实施蚀刻处理形成与保护膜的显影图形对应的配线电路等。在此之后进而通过剥离处理去除保护膜。

多年来，为了进行上述一般性光刻工序、蚀刻工序、剥离处理工序，需配置有机膜(主要是保护膜)涂布处理系统、曝光处理系统、有机膜(主要是保护膜)显影处理系统、蚀刻处理系统、灰化处理系统以及有机膜(主要是保护膜)剥离处理系统。

此外，在上述一系列处理工序之中，作为用来进行有机膜光刻工序的系统，就有将有机膜涂布处理装置和曝光处理装置以及显影处理装置一体化了的有机膜(主要是保护膜)涂布曝光显影处理系统，或将有机膜涂布处理装置与显影装置一体化了的有机膜(主要是保护膜)涂布显影处理系统。

此外，从蚀刻工序到剥离处理工序之中，可提供综合了蚀刻处理与灰化处理的，配置了灰化腔室的单片(每次只处理一片)式蚀刻处理系统、批次(多片处理或分批处理)式的灰化处理系统以及剥离处理系统。

这样即可把用于分别实施现有标准的处理工序的构成配置为串接状态实现高效化，但是近年来，为了实现降低成本、节省能源、节约资源的目的，出现实现与创造新工艺，以及改进各种工艺的要求，此外为了实现上述目的要求效率更高的基板处理装置与处理方法。

作为最近使用的可降低成本的新工艺，有(1)使感光性有机膜(下面以保护膜为例)图形具有复数种膜厚差(例如使用对保护膜连续两次曝光，或在一次曝光中使用使透过量阶梯性改变的曝光掩膜进行曝光)，若利用该复数种(例如两种)膜厚的保护掩膜的采用灰化处理等手段去除薄膜部分前后的图形变化(尤其是作为蚀刻掩膜的变化)即可用一次光刻工序获得与实施两次光刻工序相同的效果，通过在其间进行两次蚀刻即可在下层膜上形成两种图形。此种方法通常称之为形成TFT元件的5PR工艺的4PR化(下面称之为“半曝光工艺”)。

此外，作为用于降低成本的另一种新工艺，有(2)通过使用有机溶剂等使有机膜(主要是保护膜)掩膜溶解，使之在良好控制下均匀变形的方法(下面将该方法称之为药液溶解回流变形处理)，利用其变形前后的掩膜图形，即可用一次光刻工序获得与上述实施两次光刻工序相同的效果，通过在其间进行两次光刻，即可在下层膜上形成两种图形。该方法在下文中称之为“使用药液溶解回流变形处理形成TFT元件的PR缩短工艺。”

尽管很需要以最佳方式实现以上述降低成本、节省能源、节约资源为目的的新工艺、创造新的工艺以及改进各种现有工艺，然而目前并不存在实现上述目的的高效的基板处理装置与处理方法。

发明内容

本发明正是为了解决上述问题而提出来的，其目的在于提供一种这些新工艺：(1)半曝光工艺、(2)药液溶解回流工艺的控制性好，并且可以高效实现均匀加工的基板处理装置以及基板处理方法。

此外，本发明的目的还在于提供可根据需要进行(3)干法剥离处理(采用灰化处理的剥离处理)，进而(4)采用有机膜的二次曝光显影的变形处理，(5)通过在剥离处理前实施，使剥离处理更简单、更高效的蚀刻后的有机膜图形的薄膜变形化处理，以及(6)采用全面曝光与显影的剥离处理等新的处理工艺和代替工艺成为可能，可用小型的最小限度的单元有效降低成本、节省能源、节约资源，实施新的或改进型处理工艺等多种处理的基板处理装置及基板处理方法。

为了解决上述课题，本发明的基板处理装置，在对基板实施处理的基板处理装置之中，整体性配置进行基板传送的基板传送机构、用于对基板实施药液处理的药液处理单元、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元。

还有，本发明的基板处理装置，在对基板实施处理的基板处理装置之中，其特征在于：整体性配置进行基板传送的基板传送机构、调整基板温度的温度调整处理单元、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元。

还有，本发明的基板处理装置，在对基板实施处理的基板处理装置之中，其特征在于：整体性配置进行基板传送的基板传送机构、用于对基板实施药液处理的药液处理单元、调整基板温度的温度调整处理单元、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元。