[发明专利]成像设备有效
申请号: | 200810086999.0 | 申请日: | 2008-04-03 |
公开(公告)号: | CN101339377A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 额田秀美;铃木贵弘;石河勇 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | G03G15/00 | 分类号: | G03G15/00;G03G5/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰;谢栒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 设备 | ||
技术领域
本发明涉及成像设备。
背景技术
形成彩色图像或单色图像的复印机或印刷机等成像设备是以往已知的利用电子照相方式的成像设备。
在这样的成像设备中,存在由环境变化、随时间的变化或使用状况的变化而导致发生图像浓度的波动或变化的情况。因此,公知有为了控制图像浓度的波动而通过设置浓度传感器来调节图像浓度的技术,还已知有抑制图像传感器的浓度检测精度的下降的技术(参见,例如日本特开2003-21919、特开2003-322985和特开平8-44122)。
例如,根据日本特开2003-21919所公开的技术,采用了在导电性支持体上具有包含粘合剂树脂和颗粒的底层以及感光层的电子照相感光体,并且设定此电子照相感光体的表面相对于波长在特定波长范围(800nm~1300nm)内的光的乱反射率为50%~65%。结果,由浓度传感器所检测到的电子照相感光体表面上的浓度(视为浓度控制的基准浓度)被定义为中间浓度,通过使用中间浓度作为基准浓度来校准浓度传感器,从而抑制了图像传感器的浓度检测精度的下降。
另外,根据日本特开2003-322985所公开的技术,在由多个电子照相感光体构成的成像设备中,至少一个电子照相感光体的构成中含有在红外线区域具有光吸收范围的光感应性染料。具体而言,通过将光感应性染料包含在电子照相感光体的电荷输送层、电荷产生层、导电层和底层中的至少一层中从而实现此构成。在日本特开2003-322985所述的浓度传感器中,尽管基于照射到电子照相感光体上的红外光的反射光检出了浓度,但是因为电子照相感光体的构成中含有光感应性染料,来自从浓度传感器照射的光的反射光具有半色调浓度。因此,通过使用半色调浓度作为基准浓度来校准浓度传感器,抑制了由浓度传感器检测到的浓度检测精度的下降。
日本特开平8-44122教导了在成像设备中使用浓度检测装置来检测转印到转印辊上的浓度检测图案的浓度。通过使转印辊的颜色为白色(类似于记录介质的颜色)并与对转印辊上的浓度检测图案的浓度的检测相结合,能够实现高精度浓度控制。
发明内容
已知可以通过将未形成调色剂图像的区域的浓度校正为半色调浓度或类似于最终转印的记录介质的浓度来提高浓度检测精度。在此技术中,所要担心的是,随着时间的变化或者环境变动,形成了调色剂图像作为测定对象的电子照相感光体或者转印辊的表面会发生磨损,由此可能导致浓度传感器的浓度检测精度下降。
本发明的一个方案的第一实施方式是一种成像设备,所述成像设备包含:
图像保持部件,所述图像保持部件包含:
基体,所述基体的表面对第一波长的光的正反射率为约30%~约95%;和
底层,所述底层对所述第一波长的光的每单位层厚的透光率为约50%以上(本文中的“以上”或“以下”均含本数);以及感光层,对于与所述第一波长不同的第二波长的光,所述感光层具有吸收性,所述底层和所述感光层依次层积在所述基体上;
带电单元,所述带电单元使所述图像保持部件带电;
潜像形成单元,所述潜像形成单元通过用所述第二波长区域内的第二波长的光使经所述带电单元而带电的所述图像保持部件曝光从而在所述图像保持部件上形成静电潜像;
显影单元,所述显影单元使用调色剂将所述静电潜像显影并在所述图像保持部件上形成与所述静电潜像相对应的调色剂图像;
测定单元,所述测定单元包含:
照射单元,所述照射单元将所述第一波长的光照射到所述图像保持部件上;和
检测单元,所述检测单元检测通过来自所述照射单元的光的照射而产生的反射光,并基于由所述检测单元所检测到的反射光来测定在所述图像保持部件上形成的所述调色剂图像的浓度;和
控制单元,所述控制单元控制所述潜像形成单元以便所述潜像形成单元形成与预定浓度的图像相对应的静电潜像,并且基于由所述测定单元所获得的所述调色剂图像的浓度的测定结果,控制选自以下参数中的至少一个参数:通过所述带电单元使所述图像保持部件带电时的带电电位;通过所述潜像形成单元使所述图像保持部件曝光时的曝光量;和通过所述显影单元将所述调色剂显影时的显影电位,从而使得由所述测定单元所获得的测定结果基本上等于所述预定浓度。
本发明的该方案的第二实施方式为如第一实施方式所述的成像设备,其中,所述基体的表面对所述第一波长的光的正反射率为约35%~约90%。
本发明的该方案的第三实施方式为如第一或第二实施方式所述的成像设备,其中,所述基体的表面对所述第一波长的光的正反射率为约40%~约85%。
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