[发明专利]成像设备有效
申请号: | 200810086999.0 | 申请日: | 2008-04-03 |
公开(公告)号: | CN101339377A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 额田秀美;铃木贵弘;石河勇 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | G03G15/00 | 分类号: | G03G15/00;G03G5/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰;谢栒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 设备 | ||
1.一种成像设备,所述成像设备包含:
图像保持部件,所述图像保持部件包含:
基体,所述基体的表面对于第一波长的光的正反射率为30%~95%,所述基体的表面的所述正反射率为通过测定所述基体对所述第一波长的光的全反射率和漫反射率并通过将所述全反射率减去所述漫反射率来计算二者之差而获得的正反射率,所述正反射率以%表示;和
底层,所述底层对所述第一波长的光的每单位层厚的透光率为50%以上,以及感光层,当用与所述第一波长不同的第二波长的光照射所述感光层时,所述感光层的吸光度为所述感光层的最大吸收波长处的吸光度的1/10以上,当用所述第一波长的光照射所述感光层时,所述感光层的吸光度低于所述感光层的最大吸收波长处的吸光度的1/10,所述底层和所述感光层依次层积在所述基体上;
带电单元,所述带电单元使所述图像保持部件带电;
潜像形成单元,所述潜像形成单元通过用所述第二波长的光使经所述带电单元而带电的所述图像保持部件曝光从而在所述图像保持部件上形成静电潜像;
显影单元,所述显影单元使用调色剂将所述静电潜像显影并在所述图像保持部件上形成与所述静电潜像相对应的调色剂图像;
测定单元,所述测定单元包含:
照射单元,所述照射单元将所述第一波长的光照射到所述图像保持部件上;和
检测单元,所述检测单元检测通过来自所述照射单元的光的照射而产生的反射光,并基于由所述检测单元所检测到的反射光来测定在所述图像保持部件上形成的所述调色剂图像的浓度;和
控制单元,所述控制单元控制所述潜像形成单元以便所述潜像形成单元形成与预定浓度的图像相对应的静电潜像,并且基于由所述测定单元所获得的所述调色剂图像的浓度的测定结果,控制选自以下参数中的至少一个参数:通过所述带电单元使所述图像保持部件带电时的带电电位;通过所述潜像形成单元使所述图像保持部件曝光时的曝光量;和通过所述显影单元将所述调色剂显影时的显影电位,从而使得由所述测定单元所获得的测定结果基本上等于所述预定浓度。
2.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述基体的表面对所述第一波长的光的正反射率为35%~90%。
3.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述基体的表面对所述第一波长的光的正反射率为40%~85%。
4.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底层对所述第一波长的光的每单位层厚的透光率为50%~95%。
5.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底层对所述第一波长的光的每单位层厚的透光率为60%~95%。
6.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底层对所述第一波长的光的每单位层厚的透光率为70%~95%。
7.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述图像保持部件整体对所述第一波长的光的正反射率为30%以下。
8.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述图像保持部件整体对所述第一波长的光的正反射率为25%以下。
9.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述图像保持部件整体对所述第一波长的光的正反射率为20%以下。
10.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底层满足以下不等式(1)所示的关系:
不等式(1)Y>X/4.5
其中,X表示所述底层对所述第一波长的光的每单位层厚的透光率,所述透光率以%表示,Y表示所述底层的厚度,所述厚度以μm表示。
11.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底层还包含填料。
12.如权利要求11所述的成像设备,其中,所述填料为金属氧化物颗粒。
13.如权利要求12所述的成像设备,其中,所述金属氧化物颗粒包含选自由氧化锌、氧化钛和氧化锡组成的组中的至少一种化合物。
14.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底层还包含相对于所述底层的总体积的5体积%~70体积%的量的填料。
15.如权利要求14所述的成像设备,其中,所述填料的量相对于所述底层的总体积为5体积%~60体积%。
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