[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810086547.2 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101276845A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 三好诚二;冈田哲也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
具有第一主面和第二主面的半导体基板，
设置在所述第一主面的电导率调制型的元件区域，
设置在所述第一主面侧与所述元件区域连接的第一电极，
设置在所述第二主面的绝缘膜，
选择性地设置在该绝缘膜的多个开口部，
覆盖所述绝缘膜而设置，经由该开口部与所述半导体基板的所述第二主面接触的第二电极。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部的总面积是相对于所述第二主面的35％～80％。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部具有等同的形状、且以互相均等的距离分开设置。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部是正六边形。
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