[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及通过化学处理和热处理除去基板表面的氧化膜的基板处理装置和方法。 

背景技术

例如在半导体装置的制造工艺中，使容纳有半导体晶片(以下称为“晶片”)的处理室内成为接近真空状态的低压状态，进行各种各样的处理工序。作为利用这样的低压状态的处理的一个例子，已知有以化学方式除去存在于硅晶片的表面的氧化膜(二氧化硅(SiO₂))的化学的氧化物除去处理(COR(Chemical Oxide Removal)处理)(参照专利文献1、2)。就该COR处理而言，在低压状态下，将晶片调温到规定温度，同时供给包含卤元素的气体与碱性气体的混合气体，使氧化膜变质成以氟硅酸铵为主的反应生成物之后，通过对该反应生成物进行加热使其气化(升华)，从而将其从晶片上除去。在这种情况下，例如使用氟化氢气体(HF)作为包含卤元素的气体，使用氨气气体(NH₃)作为碱性气体。 

作为进行这样的COR处理的装置，一般已知有具备在比较低的温度下进行使晶片表面的氧化膜变质成反应生成物的工序的化学处理室，和在比较高的温度下进行对反应生成物进行加热、使其升华从而将其从晶片上除去的工序的热处理室的装置。但是，分开配置这样的化学处理室和热处理室的处理装置，存在由于处理室的数量增加而导致装置大型化、占用面积(foot print)也变大的缺点。此外，如果化学处理室和热处理室分开，则由于必须进行在两者之间的搬送，所以搬送机构变得复杂，此外，也有可能发生搬送中的晶片被污染、来自晶片的污染物质被放出的问题。 

专利文献1：美国专利申请公开第2004/0182417号说明书 

专利文献2：美国专利申请公开第2004/0184792号说明书 

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够在同一处理室内进行化学处理和热处理的基板处理装置和基板处理方法。 

为了解决上述问题，根据本发明，提供一种基板处理装置，通过化学处理和热处理除去基板表面的氧化膜，其特征在于，包括：向处理室内供给包含卤元素的气体和碱性气体的气体供给机构；和在上述处理室内，对基板进行温度调节的第一温度调节部件和第二温度调节部件，上述第二温度调节部件将基板温度调节到比上述第一温度调节部件高的温度。 

该基板处理装置也可以为能够密封上述处理室内的结构。此外，也可以具备对上述处理室内进行排气的排气机构。 

此外，该基板处理装置例如构成为：在上述处理室内具有支撑基板的支撑部件，上述第二温度调节部件与上述支撑部件热接触，并且上述第一温度调节部件能够与上述支撑部件热接触或热隔离。在这种情况下，也可以构成为：上述支撑部件的背面露出到上述处理室的外部，在上述处理室的外部，上述第一温度调节部件能够与上述支撑部件的背面热接触或热隔离。此外，还能够采用以下结构，即，上述支撑部件的背面被上述第二温度调节部件覆盖，上述第一温度调节部件与上述第二温度调节部件接触。此外，还能够采用以下结构，即，上述第二温度调节部件被埋入到上述支撑部件的内部，上述第一温度调节部件与上述支撑部件接触。此外，例如上述支撑部件和上述第二温度调节部件的合计的热容量比上述第一温度调节部件的热容量小。 

此外，该基板处理装置例如具有在处理室内载置硅晶片的作为上述第一温度调节部件的载置台，和在上述处理室内将基板从上述载置台向上方举起的升降机构，通过上述第二温度调节部件对被上述升降机构从上述载置台举起到上方的基板进行温度调节。在这种情况下，能够采用以下结构：具有配置在被上述升降机构从上述载置台举起到上方的基板的周围的隔开部件，具有在上述隔开部件的上方对上述处理室内进行排气的排气机构、和在上述隔开部件的下方对上述处理室内进行排气的排气机构。此外，上述气体供给机构可以构成为在被上述升降机构从上述载置台举起到上方的基板的上方向上述处理室内供 给包含卤元素的气体和碱性气体。 

此外根据本发明，提供一种基板处理方法，其通过化学处理和热处理除去基板表面的氧化膜，其特征在于，包括：向处理室内供给包含卤元素的气体和碱性气体，并且利用第一温度调节部件对基板进行温度调节，使基板表面的氧化膜变质成反应生成物的工序；和利用第二温度调节部件将基板温度调节到比上述第一温度调节部件高的温度，使上述反应生成物气化的工序。其中，也可以对上述处理室内进行排气。