[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其通过化学处理和热处理除去基板表面的氧化膜，其特征在于，包括：

向处理室内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构；

在所述处理室内，对基板进行温度调节的第一温度调节部件和第二温度调节部件，和

在所述处理室内支撑基板的支撑部件，

所述第二温度调节部件将基板温度调节到比所述第一温度调节部件高的温度，

所述第二温度调节部件与所述支撑部件热接触，并且所述第一温度调节部件与所述支撑部件能够热接触和隔离，

所述支撑部件和所述第二温度调节部件的合计的热容量比所述第一温度调节部件的热容量小。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述处理室内以能够密封的方式构成。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

具备对所述处理室内进行排气的排气机构。

4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述支撑部件的背面露出在所述处理室的外部，在所述处理室的外部，所述第一温度调节部件以与所述支撑部件的背面能够热接触和隔离的方式构成。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

其为所述支撑部件的背面被所述第二温度调节部件覆盖的结构，所述第一温度调节部件与所述第二温度调节部件接触。

6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

其为所述第二温度调节部件被埋入到所述支撑部件的内部的结构，所述第一温度调节部件与所述支撑部件接触。

7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

具有在处理室内载置基板的作为所述第一温度调节部件的载置台，和在所述处理室内将基板从所述载置台向上方举起的升降机构，

被所述升降机构从所述载置台举起到上方的基板通过所述第二温度调节部件而被温度调节。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：

具有配置在被所述升降机构从所述载置台举起到上方的基板的周围的隔开部件，

具有在所述隔开部件的上方对所述处理室内进行排气的排气机构，和在所述隔开部件的下方对所述处理室内进行排气的排气机构。

9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气体供给机构在被所述升降机构从所述载置台举起到上方的基板的上方向所述处理室内供给包含卤元素的气体和碱性气体。

10.一种基板处理方法，其通过化学处理和热处理除去基板表面的氧化膜，其特征在于，包括：

向处理室内供给包含卤元素的气体和碱性气体，并且利用第一温度调节部件对基板进行温度调节，使基板表面的氧化膜变质成反应生成物的工序；和

利用第二温度调节部件将基板温度调节到比所述第一温度调节部件高的温度，使所述反应生成物气化的工序，

将基板支撑在具有所述第二温度调节部件的支撑部件上，

在使基板表面的氧化膜变质成反应生成物的工序中，使所述第一温度调节部件与所述支撑部件热接触，

在使所述反应生成物气化的工序中，使所述第一温度调节部件从所述支撑部件热隔离。

11.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于：

所述处理室内被排气。

12.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于：

使所述第一温度调节部件在所述处理室的外部与所述支撑部件热接触和隔离。

13.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于：

所述支撑部件和所述第二温度调节部件的合计的热容量比所述第一温度调节部件的热容量小。

14.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于：

在使基板表面的氧化膜变质成反应生成物的工序中，将基板载置在作为所述第一温度调节部件的载置台上并对其进行温度调节，

在使所述反应生成物气化的工序中，在所述处理室内将基板从所述载置台举起到上方，利用所述第二温度调节部件对基板进行温度调节。