[发明专利]基板移载装置、基板移载方法和存储介质有效
申请号: | 200810085863.8 | 申请日: | 2008-03-21 |
公开(公告)号: | CN101271857A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 阿部洋;小原美鹤;阿部任弘 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板移载 装置 方法 存储 介质 | ||
技术领域
本发明涉及在通过保持臂从架子状保持例如半导体晶片等多个基板的保持具上取出基板时,能够可靠地防止该保持臂与基板接触的基板移载装置、基板移载方法和在该基板移载方法中使用的存储介质。
背景技术
作为半导体制造装置的一种,具有同时(成批)对多个半导体晶片(下面称为“晶片”)进行热处理的热处理装置。该热处理装置例如如图16所示,具有将收纳有多个晶片1的载体10相对外部搬入搬出的搬入搬出区域Sa,通过自动搬送机械手或操作员将上述载体10搬入上述搬入搬出区域Sa。然后通过移载装置11将上述载体10内的晶片1移载到架子状保持多个晶片1的晶舟12上,通过将该晶舟12搬入图中未示的热处理炉,同时对多个晶片1进行规定的热处理。
上述移载装置11,包括自由升降、围绕着大致垂直的轴自由旋转而且在大致水平方向上自由移动地构成的基台14,和沿着该基台14自由进退地构成的用来保持多个例如5个晶片1的多个叉子13,例如通过5个叉子13将5个晶片1在载体10内和晶舟12之间一起搬送、移载。此时,例如在载体10或晶舟12内,晶片1在上下相邻的晶片彼此之间隔着规定的间隔的状态下,通过图中未示的保持部保持其周边部。然后5个叉子13中的每一个插入到被保持在载体10或晶舟12中的晶片1下方的空间。接着使每一个叉子13上升,使晶片1从上述保持部抬起从而将晶片1载置在各个叉子13上。接着通过使叉子13退出,从载体10或晶舟12上转移晶片1。其后,通过移载装置11将晶片1搬送到移载目的地。
可是,在上述的叉子13中,其基端侧在用螺丝固定的状态下被保持在进退部15上。但是,由于长期连续使用叉子13,上述螺丝固定的调整差错等,如图17所示的从上数第4个叉子13那样,存在叉子13相对水平面不平行,叉子13的前端相对基准位置产生上下方向的倾斜,在叉子13自身上发生翘曲,该叉子13的前端相对基准位置在上下方向倾斜的情况。
在此,载置在载体10或晶舟12上的晶片1彼此之间的距离为大约6mm~12mm左右。因此,如果像这样叉子13的前端在上下方向倾斜,则在从上述载体10或晶舟12接收晶片1时,晶片1与叉子13接触。由此在晶片1的表面上形成损伤,由于与叉子13接触而损伤晶片1的表面,由此可能会产生颗粒。
因此要对晶片1进行表面有无损伤或是否附着有颗粒等表面缺陷的检查。但是,如现有那样的对晶片1的表面缺陷进行检查的检查装置,设置在远离热处理炉的区域。因此,对晶片1进行规定的热处理,在将该晶片1返回到载体10内之后,将该载体10搬送到检查装置中,对包括在载体10内的检查用的晶片进行规定的检查。
当在该检查步骤中发现在晶片1的表面上有损伤或附着有颗粒等的缺陷时,在该时刻紧急停止热处理装置。然后确认该缺陷是否是由叉子13在上下方向倾斜而导致叉子13与晶片接触所引起的,如果是的话,就要进行叉子13的位置调整或者维修。
但是,在像这样在热处理后进行晶片1检查的情况下,当发现表面缺陷时,在热处理炉中不仅对已经检查的一批晶片1进行处理,而且对下一批晶片也在进行处理。因此,即使紧急停止热处理装置,进行叉子13的位置调整或维修,也存在在此之前已经处理的大量晶片表面上发生缺陷,成品率降低的问题。此外,如果紧急停止热处理装置并对叉子13进行维修,则在该维修需要的时间内使装置不能运行,从而使装置的运转率下降,因此这一点也成为生产率恶化的主要原因。
近年来,为了增加每批处理的个数从而提高处理效率,有使在晶舟12上的晶片的排列间隔变得更窄的倾向。此外,存在晶片直径越来越大的倾向。伴随着此,担心从叉子13的基端侧至前端的尺寸变长,并且叉子13相对水平面的倾斜增大,这样问题就更加明显。
因此本发明者们对在从载体10接收晶片1之前检查叉子13的上下方向的倾斜,通过事前进行位置调整来抑制叉子13与载体10内的晶片1接触,防止在晶片1的表面上发生缺陷的方法进行了研究。在此作为检查叉子的上下方向的倾斜的技术,提出了特开2005-51171号公报的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造