[发明专利]使用搅乱地址数据的存储系统和方法无效
申请号: | 200810085654.3 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101241758A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 权五锡;李城秀;边大锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G06F12/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 搅乱 地址 数据 存储系统 方法 | ||
技术领域
本发明总体上涉及半导体存储设备。更具体地说,本发明涉及使用搅乱(scramble)地址数据的方法操作的存储系统。
背景技术
闪存设备是一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其中使用单个存储系统操作擦除或编程多个存储区域。其他类型的EEPROM仅仅允许由单一存储系统操作擦除或编程单个存储区域。因此,包含闪存的存储系统比起使用其他类型EEPROM的存储系统享有更高的操作性能。然而,如同其他类型的EEPROM,形成闪存的构成存储单元会由于与隔离电荷存储组件的电介质相关的磨损而经过特定次数的擦除/编程操作之后变得老化。
闪存在其操作特性上是非易失性的。因此,在不提供电源时能保持存储的数据。闪存同时提供对物理影响的良好免役性和较快的数据访问速度。由于这些属性,闪存广泛地应用于不使用电池的便携式电子设备。当前,闪存有两种类型:NOR闪存和NAND闪存——它们的区别在于关于存储单元使用的逻辑门的特性。
可以使用每个存储单元存储一位信息(SBC)的存储单元或每个存储单元存储多位信息(MBC)的存储单元的存储单元阵列实施闪存。
图1是常规NAND闪存设备的相关部分的框图。
参见图1,闪存设备的示例部分包括存储单元阵列10、行选择器(下文,“X-选择器”)20和数据寄存器以及读出放大器(S/A)30。使用标识为MB0至MB(m-1)的多个存储块实施存储单元阵列10。为了便于当前讨论,假设多个存储块MB0至MB(m-1)中的每一个在结构上基本类似。多个存储块MB0至MB(m-1)中的每个适用于存储2N位数据,其中N是大于或等于1的正整数。X-选择器20响应所接收的行地址,选择多个存储块MB0至MB(m-1)之一(例如,随后的讨论中选择MB0)和在所选存储块中的一条字线。S/A 30通过位线连接到所选存储块,并在编程操作期间用作写驱动以及在读操作期间用作读出放大器。
图2是进一步图解说明图1所示的所选存储块MB0部分以及S/A 30的对应部分的框图。
参见图2,所选存储块MB0包括分别连接到多条位线之一的多个串11。这里,只示出了单个奇/偶位线对(BLe0和Blo0),本领域技术人员可以理解许多位线或奇/偶位线对能用于实施所选存储块MB0。多个串11中的每一串包括串选择晶体管SST、地线选择晶体管GST以及配置在串选择晶体管SST和地线选择晶体管GST之间的多个串接存储单元MC31至MC0。串11中的串选择晶体管SST一起连接至由X-选择器20控制的串选择行SSL。串11中的地线选择晶体管GST一起连接至由X-选择器20控制的地线选择线GSL。串11中的多个串接存储单元MC31-MC0分别连接至由X-选择器20控制的对应字线WL31至WL0。
S/A 30包括连接到位线对Ble0和Blo0的位线选择器31以及相关寄存器32。位线选择器31选择位线对Ble0和Blo0之一并电连接所选位线和寄存器32。寄存器32根据当前编程操作指定的编程数据向所选位线施加编程电压(例如,地线电压)或编程禁止电压(例如,电源电压)。寄存器32在当前读操作期间通过所选位线检测在多个存储单元中的一个或多个存储单元中存储的数据。虽然未在图2中所示,其他位线对使用类似结构分别连接至对应寄存器。
假设每条字线与两页(2P)(即,奇数页和偶数页)相关,以及每个串接的存储单元存储2位数据(2B),以及多个存储块的每个存储块包括32条字线(32WL),则每个存储块包括128页(32WL*2P*2B)。
进一步假设行地址包括选择期望的存储块的块地址和在所选存储块中选择一个或多个页的页地址,则必须用7位地址(下文,称为“第一行地址”)选择128页中的每一页。进一步假设存储单元阵列10中的1024个存储块,必须用10位地址(下文,称为“第二行地址”)选择1024个存储块之一。
因此,地址编码必须选择一个存储块中的所有页,并然后选择下个存储块中的页。例如,如图3A所示,使用7位第一地址A12至A18在每个存储块中的128页之间选择,以及使用多个第二地址位A19至Ai在存储块之间选择。当7位第一地址是0000000时,在所选存储块中选择第一页0P。当7位第一地址是1111111时,在所选存储块内选择最后一页127P。
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