[发明专利]使用搅乱地址数据的存储系统和方法无效
申请号: | 200810085654.3 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101241758A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 权五锡;李城秀;边大锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G06F12/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 搅乱 地址 数据 存储系统 方法 | ||
1、一种在闪存系统内搅乱地址数据的方法,该闪存系统包括闪存控制器和存储2N+1位数据的闪存设备,其中N是大于或等于1的正整数,其中存储在闪存设备中的数据被布置在多个存储块中,每个存储块包括多个物理页,该方法包括:
将从闪存控制器接收的外部地址数据转换为闪存设备内操作的内部地址数据;以及
指定外部地址数据内的特定搅乱地址数据值,并忽略与包括搅乱地址数据值的外部地址数据相关的当前数据访问操作,从而内部地址数据不选择每个存储块中的多个物理页。
2、如权利要求1所述的方法,其中内部地址数据包括列地址数据和行地址数据,其中行地址数据包括表示捣乱地址数据值的至少一个地址位。
3、如权利要求2所述的方法,其中行地址数据包括页地址和块地址,块地址选择存储块,以及页地址在所选存储块中选择多个物理页之一。
4、如权利要求3所述的方法,其中行地址数据包括2M位地址数据,其中M是大于或等于1的正整数。
5、如权利要求3所述的方法,其中页地址包括表示捣乱地址数据值的至少一个地址位。
6、如权利要求5所述的方法,其中表示搅乱地址数据值的至少一个地址位包括第一地址位和第二地址位,其中第一地址位选择存储单元中存储的2N+1位数据之一,以及第二地址位选择所选存储块中多条字线之一。
7、如权利要求6所述的方法,其中第一地址位被配置成高于行地址中的第二地址位。
8、如权利要求6所述的方法,其中第一地址位被配置成低于块地址。
9、如权利要求6所述的方法,其中第一地址位被配置成低于块地址并低于行地址中的第二地址位。
10、如权利要求6所述的方法,其中第一地址位、块地址和第二地址位被顺序提供给闪存设备。
11、一种存储系统,包括:
闪存控制器和存储2N+1位数据的闪存设备,其中N是大于或等于1的正整数,其中存储在闪存设备中的数据被布置在多个存储块中,每个存储块包括多个物理页,
其中闪存设备被配置有将从闪存控制器接收的外部地址数据转换为闪存设备内操作的内部地址数据的电路,其中外部地址数据内的特定搅乱地址数据值使得所述电路忽略与包括搅乱地址数据值的外部地址数据相关的当前数据访问操作,从而内部地址数据不选择每个存储块中的多个物理页。
12、根据权利要求11所述的存储系统,其中内部地址数据包括列地址数据和行地址数据,其中行地址数据包括表示搅乱地址数据值的至少一个地址位。
13、如权利要求12所述的存储系统,其中行地址数据包括页地址和块地址,块地址选择存储块,以及页地址选择所选存储块中多个物理页之一。
14、如权利要求13所述的存储系统,其中行地址数据包括2M位地址数据,其中M是大于或等于1的正整数。
15、如权利要求13所述的存储系统,其中页地址包括表示搅乱地址数据值的至少一个地址位。
16、如权利要求15所述的存储系统,其中表示搅乱地址数据值的至少一个地址位包括第一地址位和第二地址位,其中第一地址位选择存储单元中存储的2N+1位数据之一,以及第二地址位选择所选存储块中多条字线之一。
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