[发明专利]绝缘栅型半导体装置

权利要求书

1.一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具有：

一导电型半导体基板，

设置在该半导体基板之上的一导电型半导体层，

设置在该半导体层表面上的第一动作部，

设置在所述半导体层表面，面积比所述第一动作部小的第二动作部，

设置在所述第一动作部上的反导电型第一沟道区域和第一晶体管，

设置在所述第二动作部上的反导电型第二沟道区域和第二晶体管，

设置在所述第二动作部的周围的分离区域。

2.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，在所述分离区域设置有深度，该深度抑制从所述第二沟道区域向所述半导体层流动的电流在水平方向扩散。

3.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，所述分离区域设置为比所述第二沟道区域深。

4.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，所述分离区域是绝缘层。

5.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，所述分离区域是高浓度的反导电型杂质区域。

6.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，所述分离区域具有贯通所述半导体层和所述半导体基板的贯通孔和设置在该贯通孔侧壁上的绝缘膜。

7.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自的栅极电极共同连接。

8.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，所述第二晶体管是用于检测所述第一晶体管的电流的晶体管。