[发明专利]具有高频互连的半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件，更具体而言，涉及具有高频互连和虚拟 导体图案的半导体器件。

背景技术

图7和8各自示出了依据现有技术的半导体器件的平面图。在半 导体器件100中，虚拟导体图案102和103被设置在高频互连101附 近。图7示出了形成高频互连101的层，以及图8示出了另一层。在 图8中，与高频互连101重叠的区域在平面图中以虚线表示。

虚拟导体图案102被设置在与高频互连101相同的层内，以及虚 拟导体图案103被设置在与设置有高频互连101的层不同的层内。设 置虚拟导体图案是为了这样的目的，即在化学机械抛光(CMP)工艺 中，在互连图案密度较低的区域内，防止易于生成被称为侵蚀(erosion) 的碟形(dishing)。也就是说，当设置有虚拟导体图案102时，在生 产半导体器件100时能容易地处理包含高频互连101的层。设置虚拟 导体图案103也是出于相同的原因。此外，高频互连101起到电感的 作用。

本发明的现有技术被公开在JP 2005-285970，Ali Hajimiri等的 Design Issues in CMOS Differential LC Oscillators，IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS，Vol.34，No.5，1999年5月，第717-724 页。

然而，在半导体器件100中，在高频电流流过高频互连101的情 况下，产生了下述问题。也就是说，如图9所示，由于高频互连101 产生的磁场，被定位在高频互连101附近的虚拟导体图案102内产生 了涡流电流。图9示出了图7中由虚线包围的部分的放大平面图。在 图9中，箭头A1表示流过高频互连101的电流的方向，以及箭头A2 表示流过每个虚拟导体图案102的涡流电流的方向。

当如上所述产生涡流电流时，根据楞次定律，将产生朝向抵消上 述磁场方向的磁场。因此，高频互连101的电路常数波动，从而导致 高频互连101传输特性的改变。

由于高频互连101磁场的作用而产生的涡流电流不仅产生在每个 虚拟导体图案102中，也产生在每个虚拟导体图案103中，其中虚拟 导体图案102被设置在与高频互连101相同的层内，虚拟导体图案103 被设置在与设置有高频互连101的层不同的其它层内。在不同层内， 最靠近高频互连101定位的虚拟导体图案103，也就是紧挨着高频互连 上面或者紧挨着其下面被定位的虚拟导体图案103(图8中由斜线表 示)，受到高频互连101磁场的影响最大。

发明内容

依据本发明，提供了一种半导体器件，其包含：高频互连，其被 设置在互连层的第一层内；以及虚拟导体图案，其被设置在不同于互 连层中的第一层的第二层内，其中该虚拟导体图案被设置为在平面图 中远离与高频互连的整个部分重叠的区域。

在半导体器件中，虚拟导体图案被设置在第二层内，以使得其远 离与高频互连的整个部分重叠的区域。在第二层中，不将虚拟导体图 案设置在很有可能受到高频互连产生的磁场影响的区域，以能抑制第 二层中每个虚拟导体图案内产生的涡流电流。

依据本发明，实现了一种半导体器件，其能抑制在与高频互连的 层不同的层中设置的每个虚拟导体图案中产生的涡流电流。

附图说明

在附图中：

图1为示出了依据本发明第一实施例的半导体器件的平面图；

图2为示出了依据本发明第一实施例的半导体器件的平面图；

图3A为示出了沿图1中的线III-III的半导体器件的剖视图；

图3B为示出了沿图2中的线III-III的半导体器件的剖视图；

图4A为示出了依据本发明第一实施例改进例子的半导体器件的 剖视图；

图4B为示出了依据本发明第一实施例改进例子的半导体器件的 剖视图；

图5示为出了依据本发明第一实施例另一个改进例子的半导体器 件的平面图；

图6示为出了依据本发明第一实施例另一个改进例子的半导体器 件的平面图；

图7为示出了依据现有技术的半导体器件的平面图；

图8为示出了依据现有技术的半导体器件的平面图；

图9为示出了依据现有技术的半导体器件的问题的平面图；