[发明专利]具有高频互连的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包含：

高频互连，其被设置在互连层的第一层内；以及

虚拟导体图案，其被设置在与所述互连层中的所述第一层不同的 第二层内，

其中，设置所述虚拟导体图案，以使其在平面图中离开与所述高 频互连的整个部分重叠的区域；

其中，所述第二层与所述第一层相邻，

其中，所述虚拟导体图案是第二虚拟导体图案；以及

所述半导体器件进一步包含设置在所述第一层内的第一虚拟导体 图案，

其中，所述第二层形成在所述第一层下面或上面；以及

每个所述第一虚拟导体图案与所述高频互连之间的距离的最小值 大于在包含每个所述第二虚拟导体图案的上表面或下表面的平面与所 述高频互连之间的距离。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二层形成在所述第一层上面；以及

每个所述第一虚拟导体图案与所述高频互连之间的距离的最小值 大于在包含每个所述第二虚拟导体图案的下表面的平面与所述高频互 连之间的距离。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

每个所述第一虚拟导体图案与所述高频互连之间的距离的最小值 大于在每个所述第二虚拟导体图案与所述高频互连之间的距离的最小 值。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述高频互连包含下述互连，其中具有至少5GHz频率的电流流 过该互连。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述高频互连起电感的作用。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述高频互连形成为线圈形状；以及

在平面图中，将所述虚拟导体图案设置在由所述高频互连包围的 区域的内侧和外侧。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

在平面图中，将所述虚拟导体图案设置在所述高频互连的两侧。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述高频互连包含：

电感，其形成为线圈的形状；以及

提取互连，其电连接于所述电感。