[发明专利]多芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种多芯片封装结构的制作方法，其特征在于包括：

提供一第一硅片，该第一硅片具有一主动表面以及相对的一背面，该主动表面上设有多个焊垫；

贴附一第一金属层以及一基板于该第一硅片的该背面，该第一金属层位于该第一硅片与该基板之间，该第一金属层以一背胶层与该第一硅片的背面相粘，而该基板以一胶片与该第一金属层相粘；

图案化位于该主动表面上的一第一绝缘层，以使该第一绝缘层形成多个显露所述焊垫的开孔；

在该第一硅片的一预定的切割线上，形成多个局部移除该第一绝缘层、该第一硅片以及该第一金属层所产生的凹穴；

形成一隔离层于所述凹穴中的硅片切割剖面上；

形成一具有多个第一接垫的第一线路层于该第一绝缘层上，且该第一线路层的导电壁与显露于所述凹穴中的该第一金属层的切割剖面电性连接；

形成一覆盖层于该第一线路层上以及所述凹穴中；

提供一第二硅片，该第二硅片贴附于一载板上，且多个导电凸块形成于该第二硅片上；

该第二硅片以所述导电凸块压合于该覆盖层中，并与该第一线路层电性连接；

移除该基板以及该胶片，以显露该第一金属层；

图案化该第一金属层，以形成具有多个第二接垫的一第二线路层；以及

沿着该预定的切割线切割该第一硅片以及该第二硅片，以形成多个分离的多芯片封装结构。

2.如权利要求1所述的多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在切割该第一硅片以及该第二硅片的步骤之前，还包括形成一焊罩层于该第二线路层上，并显露所述第二接垫。

3.如权利要求2所述的多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在形成该焊罩层的步骤之后，还包括形成一保护层于所述第二接垫上。

4.如权利要求3所述的多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在形成该保护层的步骤之后，还包括形成多个焊球于所述第二接垫上。

5.如权利要求1所述的多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在切割该第一硅片以及该第二硅片的步骤之前或之后，还包括移除该载板。

6.如权利要求1所述的多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述覆盖层为异方性导电膜。

7.如权利要求1所述的多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述覆盖层为非导电胶。

8.一种多芯片封装结构，其特征在于包括：

一第一芯片，具有位于其主动表面上的第一线路层以及位于其背面的第二线路层；

一第二芯片，配置于该第一芯片上，该第二芯片具有位于其主动表面上的第三线路层；

多个导电凸块，电性连接于该第一线路层与该第三线路层之间；

多个导电壁，位于该第一芯片的侧缘，并电性连接于该第一线路层与该第二线路层之间；以及

一覆盖层，位于该第一芯片与该第二芯片之间，且覆盖该第一线路层与所述导电壁。

9.如权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括多个焊球，其配置于该第一硅片的背面，并与该第二线路层电性连接。

10.如权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，该第一芯片还具有一第一绝缘层，经图案化而配置于该第一线路层之下。

11.如权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，该第一芯片还具有一背胶层，配置于该第二线路层之下。

12.如权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，该第二芯片还具有一第二绝缘层，经图案化而配置于该第三线路层之下。

13.如权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括一隔离层，配置于该第一芯片的侧缘与所述导电壁之间。