[发明专利]显示面板的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810083217.8 申请日: 2005-09-21
公开(公告)号: CN101266945A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 下田悟;白崎友之;小仓润;熊谷稔 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L27/32
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 制造 方法
【说明书】:

本申请是2005年9月21日递交的发明名称为“晶体管阵列基板和显示面板”的中国专利申请号200510106398.8的分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种使用了通过利用晶体管阵列基板流通电流来自发光的发光元件的显示面板的制造方法。 

背景技术

有机场致发光显示面板大致可分为无源驱动方式和有源矩阵驱动方式两种,但有源矩阵驱动方式的有机场致发光显示面板在高对比度、高精细等方面比无源驱动方式好。例如,在专利文献1中记载的现有的有源矩阵驱动方式的有机场致发光显示面板中,对每个象素都设置了有机场致发光元件(下面称为有机EL元件)、向栅极施加对应于图像数据的电压信号来在有机EL元件中流通电流的驱动晶体管、和执行用于向该驱动晶体管的栅极提供对应于图像数据的电压信号的开关的开关用晶体管。在该有机场致发光显示面板中,若选择扫描线,则开关用晶体管导通,此时,经信号线将表示亮度的电平的电压施加于驱动晶体管的栅极上。由此,驱动晶体管导通,大小对应于栅极电压的电平的驱动电流经驱动晶体管的源极-漏极,从电源流到有机EL元件,有机EL元件以对应于电流大小的亮度发光。在从扫描线的选择结束起到选择下一扫描线为止的期间,即便开关用晶体管截止,也继续保持驱动晶体管的栅极电压的电平,有机EL元件以按照对应于电压的驱动电流的大小的亮度发光。 

为了驱动有机场致发光显示面板,在有机场致发光显示面板的外围 设置驱动电路,向铺设于有机场致发光显示面板中的扫描线、信号线、电源线等施加电压。 

另外,在现有的有源矩阵驱动方式的有机场致发光显示面板中,使用开关用晶体管、驱动晶体管等薄膜晶体管的材料,与薄膜晶体管的布图工序同时布图电源线等在有机EL元件中流通电流的布线。即,当制造有机场致发光显示面板时,通过对构成薄膜晶体管电极的导电性薄膜执行光刻法、蚀刻法,利用该导电性薄膜来形状加工薄膜晶体管的电极,同时,还形状加工同时与电极连接的布线。因此,若由导电性薄膜来形成布线,则布线与薄膜晶体管的电极厚度相同。 

专利文献1:特开平8-330600号公报。 

但是,由于以用作晶体管为前提来设计薄膜晶体管的电极,换言之,由于不是以在发光元件中流过电流为前提来设计,所以如其名称所述,为薄膜,因此,若从布线向多个发光元件流过电流,则由于布线的电阻而产生电压降,产生通过布线的电流流动延迟。虽然为了抑制电压降和电流延迟而期望使布线低电阻化,但为此,构成晶体管的源极、漏极电极的金属层或构成栅极电极的金属层变厚,或以充分流过电流的程度的宽度布图这些金属层来形成低电阻布线时,布线与其它布线或导电体等俯视时重叠的面积增加,其间产生寄生电容,发生延迟电流流过的因素,或者,在从晶体管阵列基板侧射出EL光的所谓底部发射构造的情况下,布线会遮光来自EL元件的发光,所以导致作为发光面积比例的数值孔径变小。另外,若为了低电阻化而增厚薄膜晶体管的栅极电极,则必需增厚至用于平坦化栅极电极的级差的平坦化膜(例如在薄膜晶体管为逆交错构造(逆スタガ構造)的情况下,相当于栅极绝缘膜),晶体管特性有可能会大大变化,另外,若增厚源极、漏极电极,则由于源极、漏极电极的蚀刻精度下降,所以有可能对晶体管的特性造成坏影响。 

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种显示面板的制造方法。 

本发明的显示面板的制造方法具有以下工序:在面板上,按照排列成矩阵状的方式布图象素电极,该象素电极的表面是金属氧化物;在所述象素电极之间形成由金属构成的布线;在所述布线的表面覆盖具有三嗪化合物的疏液导通层;通过在所述电极上涂布有机化合物含有液,成膜有机化合物层。 

通过增厚布线,抑制电压降,并且用于成膜有机化合物含有液时的隔壁。因此,由于疏液导通层示出疏液性,所以可良好地布图有机化合物层。另外,例如三嗪化合物等疏液导通层有造反地在金属表面覆盖到示出疏液性的程度,但在绝缘物或金属氧化物的表面未覆盖到示出疏液性的程度,并且在金属的表面极薄地覆盖,所以金属表面的导电性不会丧失。 

附图说明

图1是与绝缘基板2一起表示EL显示面板1的电路构成的图。 

图2是EL显示面板1的象素电路Pi,j的等效电路图。 

图3是表示EL显示面板1的象素电路Pi,j的电极的平面图。 

图4是表示EL显示面板1的象素电路Pi,j的电极的平面图。 

图5是图3所示的V-V线的箭头截面图。 

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