[发明专利]基座无效
| 申请号: | 200810083072.1 | 申请日: | 2008-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN101271832A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
| 发明(设计)人: | 黄一正;福田和行;佐藤泰久;熊井学 | 申请(专利权)人: | 日本电热株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基座 | ||
技术领域
本发明涉及加热或冷却处理基板的基座,更详细而言,涉及在半导体元件及液晶面板的制造工序中对半导体晶片或液晶用玻璃等的基板进行加热或冷却处理的基板加热装置中使用的基座。
背景技术
在半导体元件及液晶面板的制造工序中,如图33所示,使用基板热处理装置30来进行半导体晶片或液晶用玻璃等的基板31的加热处理或冷却处理。在该基板热处理装置30中,加热或冷却基板31的基座32具有从上下由传热板34和按压板35夹入加热源或冷却源33而接合的结构,传热板34和按压板35的材料可以使用热传导性优良的铝、铝合金、铜或铜合金等。该传热板34和按压板35通过将外周部熔接或焊接而被接合,但此时产生气孔或气体的卷入,因此有接合部的强度低下的问题。并且,使基板热处理装置30内部为真空状态时,气体等从气孔漏出而使真空度降低,有给基板31的热处理带来不良影响的问题。
为了解决这些问题,专利文献1提出了在传热板和按压板的接合面的对置位置上设置环状突出部和槽部、将它们组合并进行锻压压缩而连接的基座。
但是,该基座由于环状突出部和槽部的形状简单,存在难以将基座的气密性提高至能与高真空中或液体中的加热的热处理相对应的程度的问题。并且,由于升温到作为加热板被使用的加热区域的温度附近(例如400℃)而进行锻压,因此存在根据传热板和按压板的材质组织变化而造成基座的特性变化和变形的可能性,并且需要特别的设备和操作,因此存在制造成本升高的问题。
专利文献1:日本国专利公开公报2002-270347号
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高气密性、并且没有制造时的变形或特性变化且使制造成本降低的基座。
本发明是金属制的第1板和第2板之间夹持基板加热装置或基板冷却装置而形成的基座,在上述第1板的接合面上设置上表面上具有凹部的突起部,并且在上述第2板的接合面上以与上述突起部相对置的方式设置由榫槽构成的槽部,通过将上述突起部嵌入并铆接于上述槽部,将上述第1板和第2板接合。
根据本发明的基座,突起部塑性变形而填充在槽部内从而被相互固定,并且,该凹部的两壁部扩开而进入槽部的底面的宽阔部而形成迷宫式密封,因此能够提高基座的气密性。并且,铆接能够使用一般的冲压机在室温下进行,因此制造时的基座不会变形或特性变化,且能够降低制造成本。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式的基座的安装端面图。
图2是图1所示的接合部A的放大端面图。
图3是本发明的第1实施方式的基座的剖视图。
图4是说明图1所示的接合部A的作用的说明图。
图5是说明本发明的第1实施方式的基座的突起部的形状尺寸的说明图。
图6是说明本发明的第1实施方式的基座的突起部的变形例的形状尺寸的说明图。
图7是说明本发明的第1实施方式的基座的槽部的形状尺寸的说明图。
图8是本发明的第2实施方式的基座的接合部的放大端面图。
图9是说明本发明的第2实施方式的基座的突起部和槽部的形状尺寸的说明图。
图10是本发明的第2实施方式的基座的槽部的变形例的剖视图。
图11是本发明的第1实施方式的基座的突起部的变形例的剖视图。
图12是本发明的第1实施方式的基座的接合部的变形例的放大端面图。
图13是图12所示的接合部的变形例。
图14是本发明的第2实施方式的基座的接合部的变形例的放大端面图。
图15是本发明的第1实施方式的基座中的基板加热装置的第1例的剖视图。
图16是本发明的第1实施方式的基座中的基板冷却装置的第1例的剖视图。
图17是本发明的第1实施方式的基座中的基板冷却装置的第2例的剖视图。
图18是图17所示的B部的放大图的例子。
图19是将本发明的第1实施方式的基座大型化的例子的安装端面图。
图20是本发明的第3实施方式的基座的安装端面图。
图21是图20所示的接合部C的放大端面图。
图22是图20所示的接合部C的变形例的放大端面图。
图23是图20所示的接合部C的其他变形例的放大端面图。
图24是图22所示变形例的铆接后的放大端面图的例子。
图25是图20所示的D-D方向的俯视图。
图26是图20的基座为矩形的情况下的D-D方向的俯视图。
图27是图23的变形例的俯视图。
图28是将本发明的第3实施方式的基座大型化的例子的安装端面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





