[发明专利]半导体晶片封装体及其封装方法无效

专利信息
申请号: 200810083043.5 申请日: 2008-03-18
公开(公告)号: CN101540306A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 沈育浓 申请(专利权)人: 沈育浓
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60;H01L21/78
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蔡胜利
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 晶片 封装 及其 方法
【说明书】:

发明领域

本发明关于一种半导体晶片封装体及其封装方法,更特别地,关于一 种适于被堆叠起来的半导体晶片封装体及其封装方法。

背景技术

微型化是电子装置持续进行的趋势,而针对在电子装置中所使用的半 导体记忆体而言,堆叠式结构是其中一种促进微型化的方式。然而,整体 堆叠后的厚度以及层与层之间的电气连接因会分别影响整体高度和电气特 性而因此是堆叠式结构优与劣的关键。

发明内容

本发明的目的是为提供一种半导体晶片封装体及其封装方法。

根据本发明的一特征,一种半导体晶片封装体是被提供,其包含:一 个半导体基体,其具有一个焊垫安装表面、一个与该上表面相对的后表面、 数个形成于该上表面上的焊垫、及数个形成在该半导体基体的两侧表面上 的大致半圆形孔;一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层, 该绝缘层是形成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔及与该 半导体基体的两侧表面上的大致半圆形孔对准的大致半圆形孔;数个各从 一对应的焊垫经由对应的半圆形孔延伸到该半导体基体的后表面的预定位 置的导体;一个形成在该半导体基体的焊垫安装表面上的上覆盖层,该上 覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体的一部分的曝露孔;一个形成在 该半导体基体的后表面上的下覆盖层,该下覆盖层是形成有数个用于曝露 对应的导体的一部分的曝露孔;及数个各形成在该上覆盖层的一对应的曝 露孔内的外部电路连接点。

根据本发明的另一特征,一种半导体晶片封装体是被提供,其包含: 一个半导体基体,其具有一个焊垫安装表面及数个形成于该上表面上的焊 垫;一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层,该绝缘层是形 成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔,而且具有斜的边缘 表面以致于其具有一个梯形横截面;一个形成于该绝缘层上的导线形成层, 该导线形成层是形成有数个各与该绝缘层的一对应的通孔连通且曝露该绝 缘层的一部分的穿孔,该导线形成层亦具有斜的边缘表面俾可与该绝缘层 的对应的边缘表面形成连续的边缘表面;充填在连通的该绝缘层的通孔与 该导线形成层的穿孔内的导电金属胶;一个覆盖该导线形成层的绝缘保护 层,该绝缘保护层是形成有用于曝露对应的导电金属胶的一部分的曝露孔; 及数个各形成在该保护层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。

根据本发明的又另一特征,一种半导体晶片封装体是被提供,其包含: 一个半导体基体,其具有一个焊垫安装表面、一个与该上表面相对的后表 面、及数个形成于该上表面上的焊垫;一个形成于该半导体基体的焊垫安 装表面、侧表面、以及后表面上的绝缘包覆层,该绝缘包覆层是形成有数 个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔;数个各从一对应的焊垫延 伸到该半导体基体的后表面的预定位置的导体;一个形成在该绝缘包覆层 的在半导体基体的焊垫安装表面上的包覆层部分俾可覆盖在该半导体基体 的焊垫安装表面之上的导体部分的上覆盖层,该上覆盖层是形成有数个用 于曝露对应的导体的一部分的曝露孔;一个形成在该绝缘包覆层的在半导 体基体的后表面上的包覆层部分俾可覆盖在该半导体基体的后表面之上的 导体部分的的下覆盖层,该下覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体的 一部分的曝露孔;及数个各形成在该上绝缘层的一对应的曝露孔内的外部 电路连接点。

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