[发明专利]半导体晶片封装体及其封装方法无效
| 申请号: | 200810083043.5 | 申请日: | 2008-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN101540306A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
| 发明(设计)人: | 沈育浓 | 申请(专利权)人: | 沈育浓 |
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜利 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 晶片 封装 及其 方法 | ||
1.一种半导体晶片封装体,其特征在于,包含:
一个半导体基体,其具有一个焊垫安装表面、一个与该焊垫安装表面 相对的后表面、数个形成于该焊垫安装表面上的焊垫、及数个形成在该半 导体基体的两侧表面上的大致半圆形孔;
一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层,该绝缘层是形 成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔及与该半导体基体的 两侧表面上的大致半圆形孔对准的大致半圆形孔;
至少一个从其中一个焊垫经由至少一个半圆形孔延伸到该半导体基体 的后表面的预定位置的导体;
一个形成在该半导体基体的焊垫安装表面上的上覆盖层,该上覆盖层 是形成有数个用于曝露在该焊垫安装表面之上的对应的导体的一部分的曝 露孔;
一个形成在该半导体基体的后表面上的下覆盖层,该下覆盖层是形成 有数个用于曝露在该后表面上的对应的导体的一部分的曝露孔;及
数个各形成在该上覆盖层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。
2.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征更在于,包含形成 于每个焊垫上的导电金属层。
3.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征更在于,包含数个 形成于对应的导体的在半导体基体的焊垫安装表面之上和后表面之上的导 体部分上的导电金属层。
4.如权利要求3所述的半导体晶片封装体,其特征在于,这些导电金 属层中的每一个可以包含叠置的一个镍层与一个金层。
5.一种半导体晶片封装体,其特征在于,包含:
一个半导体基体,其具有一个焊垫安装表面及数个形成于该焊垫安装 表面上的焊垫;
一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层,该绝缘层是形 成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔,而且具有斜的边缘 表面以致于其具有一个梯形横截面;
一个形成于该绝缘层上的导线形成层,该导线形成层是形成有至少一 个与该绝缘层的其中一个通孔连通且曝露该绝缘层的一部分的穿孔,该导 线形成层亦具有斜的边缘表面从而可与该绝缘层的对应的边缘表面形成连 续的边缘表面;
充填在连通的该绝缘层的通孔与该导线形成层的穿孔内的导电金属 胶;
一个覆盖该导线形成层的绝缘保护层,该绝缘保护层是形成有用于曝 露对应的导电金属胶的一部分的曝露孔;及
数个各形成在该保护层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。
6.如权利要求5所述的半导体晶片封装体,其特征在于,更包含形成于 该半导体基体的每个焊垫上的导电金属层。
7.如权利要求5所述的半导体晶片封装体,其特征在于,更包含形成 于在导线形成层的每个穿孔内的导电金属胶的表面上的导电金属层。
8.如权利要求7所述的半导体晶片封装体,其特征在于,这些导电金 属层中的每一个可以包含叠置的一个镍层与一个金层。
9.一种半导体晶片封装体,其特征在于,包含:
一个半导体基体,其具有一个焊垫安装表面、一个与该焊垫安装表面 相对的后表面、及数个形成于该焊垫安装表面上的焊垫;
一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面、侧表面、以及后表面上的 绝缘包覆层,该绝缘包覆层是形成有至少一个用于曝露该半导体基体的其 中一个焊垫的通孔;
至少一个从该其中一个焊垫延伸到该半导体基体的后表面的预定位置 的导体;
一个形成在该绝缘包覆层的在半导体基体的焊垫安装表面上的包覆层 部分从而可覆盖在该半导体基体的焊垫安装表面之上的导体部分的上覆盖 层,该上覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体部分的一部分的曝露孔;
一个形成在该绝缘包覆层的在半导体基体的后表面上的包覆层部分从 而可覆盖在该半导体基体的后表面之上的导体部分的的下覆盖层,该下覆 盖层是形成有数个用于曝露对应的导体部分的一部分的曝露孔;及
数个各形成在该上绝缘层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。
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