[发明专利]具有静电放电保护电路的集成电路

权利要求书

1.一种具有静电放电保护电路的集成电路，其包括：

第一电源接垫；

第二电源接垫；

至少一个电路模块，包括：

信号接垫；

内部电路，耦接于所述第一电源接垫与所述第二电源接垫之间；以及

第一双极结晶体管，其基极耦接于所述第一电源接垫，射极耦接于所述信号接垫，其中，所述第一双极结晶体管的集极与所述第二电源接垫之间具有一第一寄生电阻；

电源箝制电路，耦接于所述第一电源接垫与所述第二电源接垫之间，所述电源箝制电路包括：

至少一个第一金属氧化物半导体晶体管，所述第一金属氧化物半导体晶体管的控制端耦接于所述第二电源接垫，第一连接端耦接于所述第一电源接垫，以及第二连接端耦接于所述第二电源接垫；以及

至少一个第一寄生双极结晶体管，其集极耦接于所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述第一连接端，射极耦接于所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述第二连接端，基极耦接于所述第一双极结晶体管的所述集极与所述第一寄生电阻。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述电源箝制电路还包括第二金属氧化物半导体晶体管与第二寄生双极结晶体管；所述第二金属氧化物半导体晶体管的控制端耦接于所述第一电源接垫，第一连接端耦接于所述第二电源接垫，以及第二连接端耦接于所述第一电源接垫，其中，所述第二金属氧化物半导体晶体管的控制端为栅极，第一连接端为漏极，第二连接端为源极；所述电路模块还包括：第二双极结晶体管，其基极耦接于所述第二电源接垫，射极耦接于所述信号接垫，其中，所述第二双极结晶体管的集极与所述第一电源接垫之间具有一第二寄生电阻；以及所述第二寄生双极结晶体管的集极耦接于所述第二金属氧化物半导体晶体管的所述第一连接端，射极耦接于所述第二金属氧化物半导体晶体管的所述第二连接端，以及基极耦接于所述第二双极结晶体管的所述集极与所述第二寄生电阻。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其包括多个电路模块，每一电路模块中的第一双极结晶体管的集极均耦接至所述第一寄生电阻与所述第一寄生双极结晶体管的所述基极，以及每一电路模块中的第二双极结晶体管的集极均耦接至所述第二寄生电阻与所述第二寄生双极结晶体管的所述基极。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括阻抗元件，耦接于所述信号接垫以及所述内部电路之间。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其包括多个电路模块，且每一电路模块中的第一双极结晶体管的集极均耦接至所述第一寄生电阻与所述第一寄生双极结晶体管的所述基极。