[发明专利]热固化型模片键合膜

说明书

技术领域

本发明涉及热固化型模片键合膜以及具有该膜的切割和模片键合膜，更详细地，本发明涉及在将半导体芯片等模片键合到衬底或引线框等被粘物上时使用的热固化型模片键合膜及具有该膜的切割和模片键合膜。

背景技术

以往，在半导体装置的制造过程中，半导体芯片向引线框和电极构件的粘着使用银浆。所述的粘着处理，通过将浆状胶粘剂涂布于引线框的冲模垫等的上面，并在其上安装半导体芯片，然后使浆状胶粘剂层固化来进行。

但是，浆状胶粘剂由于其粘度行为及变差等会在涂布量和涂布形状等方面产生大量的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂层厚度不均匀，因此，半导体芯片相关的粘着强度的可靠性缺乏。即，如果浆状胶粘剂的涂布量不足，则半导体芯片与电极构件之间的粘着强度降低，在后续的丝焊工序中半导体芯片剥离。另一方面，如果浆状胶粘剂的涂布量过多，则浆状胶粘剂一直流延到半导体芯片上，产生特性不良，成品率、可靠性下降。这样的粘着处理中的问题，随着半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂涂布量的控制，引起操作性和生产率的问题。

在该浆状胶粘剂的涂布工序中，有在引线框或形成芯片上另外涂布浆状胶粘剂的方法。但是，在该方法中，浆状胶粘剂层难以均匀化，另外，浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，公开了在切割工序中粘着保持半导体晶片的同时、也提供安装工序中需要的芯片粘着用的胶粘剂层的切割和模片键合膜(例如，参见日本特开昭60-57342号公报)。

该切割和模片键合膜是在支撑基材上依次层压粘合剂层和胶粘剂层而构成的。即，在通过胶粘剂层保持下将半导体晶片切割后，拉伸支撑基材而将芯片状工件与胶粘剂层一起剥离，并将其分别回收。另外，芯片状工件通过胶粘剂层粘着到引线框等被粘物上。

另一方面，作为半导体芯片的粘着中使用的模片键合用胶粘膜，可以列举例如热固化型的模片键合用胶粘膜。作为该热固化型模片键合膜，从提高对于以衬底的布线或半导体芯片上的导线等为代表的、由于表面凹凸而高低差大的被粘物的密合性的观点考虑，使用熔融粘度小的胶粘膜。

但是，如果熔融粘度过小，则胶粘剂从胶粘膜中渗出，存在污染衬底、半导体芯片等的问题。另一方面，如果熔融粘度过大，则对于被粘物的密合性变差，存在产生空隙的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供与被粘物的密合性优良、并且不产生由于胶粘剂的渗出导致的衬底或半导体芯片污染的热固化型模片键合膜及具有该模片键合膜的切割和模片键合膜。

本发明人为了解决上述现有技术的问题，对于热固化型模片键合膜及具有该模片键合膜的切割和模片键合膜进行了研究。结果发现，通过采用下述构成可以实现上述目的，并且完成了本发明。

即，本发明的热固化型模片键合膜，是在制造半导体装置时使用的热固化型模片键合膜，其特征在于，含有5～15重量％热塑性树脂成分及45～55重量％热固性树脂成分为主成分，并且热固化前在100℃下的熔融粘度为400Pa·s以上、2500Pa·s以下。

根据前述构成，由于将热塑性树脂成分的下限设定为5重量％、将热固性树脂成分的上限设定为55重量％、并且将所述模片键合膜热固化前在100℃下的熔融粘度设定为400Pa·s以上，因此对于衬底等被粘物具有良好的密合性。结果，在与衬底或引线框等被粘物的胶粘面上，可以减少空隙的产生。另一方面，由于将热塑性树脂成分的上限设定为15重量％、将热固性树脂成分的下限设定为45重量％、并且将所述熔融粘度设定为2500Pa·s以下，因此可以抑制胶粘剂成分等从模片键合膜渗出。结果，可以防止衬底或在其上粘着的半导体芯片的污染。

前述模片键合膜热固化后在250℃下的拉伸储能弹性模量优选为10MPa以上。由此，例如即使是对在热固化型模片键合膜上粘着的半导体芯片进行丝焊时，也可以防止由于超声波振动或加热导致在模片键合膜与被粘物的胶粘面上产生剪切变形。结果，可以提高丝焊的成功率，并且进一步提高成品率，制造半导体装置。

通过加热热固化后在85℃、85％RH的环境下放置168小时时的吸湿率优选为1重量％以下。通过使吸湿率为1重量％以下，例如可以防止回流工序中在封装中产生裂纹。

通过加热热固化后在250℃加热1小时后的重量减少量优选为1重量％以下。通过使重量减少量为1重量％以下，例如可以防止回流工序在封装时产生裂纹。

另外，为了解决前述课题，本发明的切割和模片键合膜的特征在于，前述的热固化型模片键合膜层压在粘合膜上。