[发明专利]存储器操作方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，是有关于一种存储器的操作方法， 且特别是有关于一种具有多级存储单元(multi level cell，MLC)的存储 器的操作方法。

背景技术

在存储器制造业中，提高存储器的密度以降低制造成本系为技术 发展的重要关键。随着存储器元件的尺寸微缩逐渐逼近物理极限，利 用工艺提高存储器元件的密度已经变的愈来愈困难。

因此，随着具有多级存储单元(multi level cell，MLC)的存储器的概 念被提出，便衍生出另一种提高存储器密度的发展方向。具有MLC的 存储器系利用电荷改变存储单元的阈值电平，以读取电流的大小判定 存储器储存的位状态。目前的存储器编程方法，都难以将存储单元编 程到精确的阈值电平，使得代表不同位的读取电流范围容易重迭，造 成位判定上的困难。

因此，如何在对存储单元进行编程时，能够让存储单元具有精确 的阈值电平，以提高数据读取的正确度，是业界所致力的课题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种存储器的操作方法， 该方法是在编程过程中分阶段修正阈值电平，使存储单元于每次编程 操作均能精确改变到设定的阈值电平，使具有MLC的存储器的可靠性 得以提高，以提高数据读取的正确性。

根据本发明，提出一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列 步骤。首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构。沟道区位 于源极区及漏极区之间，电荷储存结构设置于沟道区上，栅极设置于 电荷储存结构上。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储 器的阈值电平高于一擦除电平。然后，注入第二型电荷至电荷储存结 构，使存储器的阈值电平低于一设定位电平。接着，注入第一型电荷 至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平趋近于或等于设定位电平。

根据本发明，提出一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列 步骤。首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构、一衬底及 一栅极，衬底具有一沟道区、一源极区及一漏极区，沟道区位于源极 区及漏极区之间，电荷储存结构设置于沟道区上，栅极设置于电荷储 存结构上。接着，分别对栅极、源极区及漏极区施加一第一栅极偏压、 一第一源极偏压及一第一漏极偏压，使存储器的阈值电平高于一擦除 电平。然后，分别对栅极、源极区及漏极区施加一第二栅极偏压、一 第二源极偏压及一第二漏极偏压，使存储器的阈值电平低于一设定位 电平。接着，分别对栅极、源极区及漏极区施加一第三栅极偏压、一 第三源极偏压及一第三漏极偏压，使存储器的阈值电平趋近于或等于 设定位电平。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例， 并配合所附图式，作详细说明。

附图说明

图1绘示依照本发明一较佳实施例的一种存储器的操作流程图；

图2A绘示本发明一较佳实施例的一种存储器于操作流程的擦除 步骤的示意图；

图2B绘示本发明一较佳实施例的一种存储器于操作流程的擦除 步骤的阈值电平变化；

图3A绘示本发明一较佳实施例的一种存储器于操作流程的编程 步骤的示意图；

图3B绘示本发明一较佳实施例的一种存储器于操作流程的编程 步骤的阈值电平变化；

图4A绘示本发明一较佳实施例的一种存储器于操作流程的修正 步骤的示意图；以及

图4B绘示本发明一较佳实施例的一种存储器于操作流程修正步 骤的阈值电平变化。

【主要元件符号说明】

2：擦除电平

4、6、8：位电平

10：衬底

12：源极区

14：漏极区

16：沟道区

20：电荷储存结构

21：隧穿介电层

22：电荷储存层

23：阻挡层

30：栅极

50：存储器

具体实施方式