[发明专利]存储器操作方法

权利要求书

1.一种存储器的操作方法，应用于一编程操作，其特征在于，该 方法包括：

A、提供一存储器，该存储器包括一电荷储存结构、一衬底及一栅 极，该衬底具有一沟道区、一源极区及一漏极区，该沟道区位于该源 极区及该漏极区之间，该电荷储存结构设置于该沟道区上，该栅极设 置于该电荷储存结构上；

B、注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平 高于一擦除电平，并验证该存储器的阈值电平是否高于该擦除电平；

C、注入第二型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平 低于一设定位电平，并验证该存储器的阈值电平是否低于该设定位电 平；以及

D、注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平 趋近于或等于该设定位电平，并验证该存储器的阈值电平是否高于或 等于该设定位电平。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，该步骤C中的 第二型电荷注入速度大于该步骤D中的第一型电荷注入速度。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，在该步骤D中， 施加于该栅极的偏压值低于该步骤C中施加于该栅极的偏压值。

4.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，在该步骤C中， 通过控制施加于该栅极的偏压值及施加时间，使该存储器的阈值电平 低于该设定位电平，该设定位电平是一第一位电平、一第二位电平及 一第三位电平三者其中之一，该第三位电平低于该第二位电平，该第 二位电平低于该第一位电平；

当该设定位电平为该第二位电平时，执行该步骤C后的该存储器 的阈值电平系位于该第三位电平及该第二位电平之间；

当该设定位电平为该第一位电平时，执行该步骤C后的该存储器 的阈值电平位于该第二位电平及该第一位电平之间。

5.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，该步骤B以一 双边偏压DSB注入、一富勒诺罕FN注入或一沟道热电子CHE注入完 成。

6.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，该步骤B中施 加于该栅极的偏压值的范围位于8V至12V之间，施加于该源极区及 该漏极区的偏压值的范围都位于4V至6V之间；或

该步骤B中施加于该栅极的偏压值的范围位于16V至20V之间， 施加于该源极区及该漏极区的偏压值实质上皆为0V；或

该步骤B中施加于该栅极的偏压值的范围位于6V至10V之间， 施加于该源极区及该漏极区其中之一的偏压值的范围位于5V至7V之 间，且施加于该源极区及该漏极区其中之另一的偏压值实质上为0V。

7.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，该步骤C以一 DSB注入、一FN注入或一带间热空穴BBHH注入完成。

8.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，该步骤C中施 加于该栅极的偏压值的范围位于-8V至-12V之间，施加于该源极区及 该漏极区的偏压值的范围都位于4V至6V之间；或

该步骤C中施加于该栅极的偏压值的范围位于-16V至-20V之间， 施加于该源极区及该漏极区的偏压值实质上为0V；或

该步骤C中施加于该栅极的偏压值的范围位于-6V至-10V之间， 施加于该源极区及该漏极区其中之一的偏压值的范围位于5V至7V之 间，且施加于该源极区及该漏极区其中之另一的偏压值实质上为0V。

9.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，该步骤D以一 DSB注入、一FN注入或一CHE注入完成。