[发明专利]一种掺钕钒酸镧钇激光晶体及其制备方法和应用有效
申请号: | 200810071272.5 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101319395A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 陈新;卢秀爱;吴砺;陈卫民;凌吉武 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00 |
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地址: | 350014福建省福州市晋*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺钕钒酸镧钇 激光 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种掺钕钒酸镧钇激光晶体,其特征在于:其化学式为:Ndx:LayY1-x-yVO4,其中x =0.0005~0.05,y=0.002~0.2,其属四方晶系,其空间群为D4h,密度为4.23g·cm-3,莫氏 硬度为4~5。
2.根据权利要求1所述的一种掺钕钒酸镧钇激光晶体的制备方法,其特征在于:采用熔 体提拉法进行单晶生长,其制备方法如下:
1)高纯多晶原料合成:按合成Ndx:LayY1-x-yVO4化学计量比准确称取药品,Y2O3纯 度99.99%、La2O3纯度99.99%、Nd2O3纯度99.99%、NH4VO3纯度99.5%,并将所称取的药 品放入刚玉研钵中研磨均匀、压片,然后进行高温烧结;
2)单晶生长:采用铱金坩埚作为烧结后合成好的晶体生长的容器,在提拉炉中,使其 在惰性气体的气氛下进行单晶提拉,其生长温度约为1800~1900℃,生长速度为0.5~ 2.0mm/h,晶体转速为12~30r/min,透过单晶提拉炉上的石英观察窗观察晶体生长时光圈及 生长趋势的变化情况,并通过欧陆表调节电势的升降及其变化速率,以控制晶体生长形态;
3)晶体退火:当晶体生长结束后,将晶体提升并脱离熔体,调整晶体高度,使其高出 熔体表面1~3mm高度,然后缓慢退火至室温,降温速率为5~60℃/h,即得到掺钕钒酸镧钇 激光晶体毛坯。
3.根据权利要求1所述的一种掺钕钒酸镧钇激光晶体的应用,其特征在于:其掺钕钒酸 镧钇激光晶体毛胚按照需要,经定向、切割、粗磨、抛光、镀膜加工,应用于固体激光器中 作为激光工作物质。
4.根据权利要求1所述的一种掺钕钒酸镧钇激光晶体的应用,其特征在于:其掺钕钒酸 镧钇激光晶体采用闪光灯或激光二极管(LD)泵浦。
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