[发明专利]不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法

权利要求书

1.一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构，包括：

半导体材料1，主扩散结2，n个耐压层B₁～B_n，其中n≥2，耗尽终止区4和介质层3，其中主扩散结2、n个耐压层B₁～B_n、耗尽终止区4都处于半导体材料1中，主扩散结2和n个耐压层B₁～B_n的导电类型与半导体材料1是相反导电类型，耗尽终止区4与半导体材料1是相同导电类型。其特征在于：

1)所述n个耐压层B₁～B_n中，耐压层B₁～B_n-1净掺入杂质面密度在半导体材料1理想平行平面结雪崩击穿前最大耗尽层空间电荷面密度与介质层3及半导体材料1间电荷面密度带符号运算之和的0.5倍到5倍范围内，而与耗尽终止区4最邻近的分区杂质耐压层B_n净掺入杂质面密度在半导体材料1理想平行平面结雪崩击穿前最大耗尽层空间电荷面密度与介质层3及半导体材料1间电荷面密度带符号运算之和的0倍到1.3倍范围内。

2)所述耐压层B₁～B_n横向长度L₁～L_n取值范围是半导体材料1理想平行平面结最大雪崩击穿时耗尽层厚度的0.3倍到5倍范围内，所述耐压层B_n和耗尽终止区4可以相接触，也可以存在间距，如果存在间距，则要求间距小于半导体材料1理想平行平面结最大雪崩击穿时耗尽层厚度的20％。

2.如权利要求1的不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构，其特征在于：所述n个耐压层B₁～B_n和耗尽终止区4表面允许存在各种厚度和多层不同性质的介质层3，但不允许存在导电性材料。

3.如权利要求1的不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构，其特征在于：所述耐压层B₁～B_n中邻近的耐压层B_m-1～B_m可以存在间距，也可以相接触，相邻耐压层B_m-1～B_m可以存在的间距要求小于半导体材料1理想平行平面结最大雪崩击穿时耗尽层厚度的20％，其中2≤m≤n，所述第一耐压层B₁与主扩散结2可以相接触，也可以存在间距，如果存在间距，则要求间距小于半导体材料1理想平行平面结最大雪崩击穿时耗尽层厚度的20％。