[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，其特征在于，该封装体包括一顶面及一侧面，该顶面包括一凹陷部及一出光部，该凹陷部正对发光二极管晶粒的中心轴线设置，该出光部环绕于该凹陷部的外围，该侧面由出光部的外缘向下延伸形成，该侧面呈阶梯状，包括若干台阶，该侧面的横截面积自顶面向下减少。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该凹陷部为自该出光部的内缘向封装体的中心逐渐凹陷且向外弯曲而成的外弯曲面。

3.根据权利要求1所述的发光二极管照明装置，其特征在于，该出光部为一圆环形平面。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该出光部为自该凹陷的外缘向外并向下弯曲延伸而成的外弯曲面。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每一台阶包括一颈部及一肩部，该颈部自该肩部的内侧向下且向内倾斜。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，该肩部为一环形平面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该凹陷部的中央处开设一自顶面向下渐缩的盲孔，该盲孔位于发光二极管晶粒的正上方。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该盲孔呈圆锥或棱锥状。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该侧面涂敷反射材料。

10.一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，其特征在于，该封装体包括一顶面及一侧面，该顶面正对该发光二极管晶粒的中心轴线位置设有一凹陷部，该顶面环绕该凹陷部的外围形成为出光部，该发光二极管晶粒发出的光线经由该凹陷部发生反射后射向封装体的侧面，再经过侧面的反射而射向顶面的出光部，并经由出光部射出封装体。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，该侧面由顶面向下呈渐缩延伸，使该侧面的横截面积自顶面向下减少。

12.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，该凹陷部的中央处向下开设一渐缩的盲孔，该盲孔位于发光二极管晶粒的正上方。

13.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，该凹陷部为自该出光部的内缘向封装体的中心逐渐凹陷且向外弯曲而成的外弯曲面。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，该出光部为一圆环形平面或者为向外突出的外弯曲面。