[发明专利]一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810064810.8 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101319399A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 温广武;张晓东;黄小萧;钟博;白宏伟;张涛 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B29/62;C01B31/36
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 刘同恩
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 伴有 结构 碳化硅 纳米 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法,其特征在于伴有串状结构的碳化硅纳米线通过以下步骤制备:一、按照硅与碳的摩尔比为1∶2~5的比例配制硅溶胶和蔗糖的混合溶胶,二、在室温为15~30℃条件下使用磁力搅拌器搅拌2~4小时,配制成均匀的溶胶;三、将装有溶胶的烧杯放入水浴加热器内,将温度控制在90~100℃进行凝胶处理5±0.1小时,得到凝胶;四、将步骤三得到的凝胶放入坩埚中,并置于管式加热炉中,以950~1100ml/min的流量向管式加热炉中通入氮气,管式加热炉以8~12℃/min的加热速度加热到750~850℃,并保持温度1小时后在氮气的保护下自然冷却至室温,得到非晶态的含碳二氧化硅纳米复合粉体材料;五、将步骤四得到的纳米复合粉体放入坩埚内,并置于气氛烧结炉中抽真空,使气氛烧结炉的真空度至1Pa以下;六、向气氛烧结炉内充入氩气,使炉内气体压强达到0.1~2.0MPa;七、气氛烧结炉以5~30℃/min的升温速度进行加热,在1500~1800℃的温度下烧结0.5~6小时;八、冷却到室温,即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线。

2.根据权利要求1所述的伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法,其特征在于步骤六中向气氛烧结炉内充入氩气,使炉内气体初始压强达到1.0MPa。

3.根据权利要求1所述的伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法,其特征在于步骤七中气氛烧结炉以10℃/min的升温速度进行加热。

4.根据权利要求3所述的伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法,其特征在于步骤七中气氛烧结炉在1700℃的温度下烧结0.5小时。 

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