[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的像素结构有效
| 申请号： | 200810057694.7 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101504500A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 何祥飞;王威 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示器 阵列 像素 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的像素结构，包括像素电极、栅线和数据线，所述栅线和数据线的交叠处形成有寄生电容，其特征在于：
所述栅线上还设置有分支部，所述分支部与所述数据线形成有保护电容，所述保护电容与所述寄生电容并联设置，所述保护电容的两极间距离小于所述寄生电容的两极间距离。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述分支部与所述栅线位于同一布线层，所述分支部与所述栅线一体连接，并与所述数据线交叠形成所述保护电容。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述分支部包括延伸部和导线部，所述延伸部的一端与所述栅线一体连接，另一端与所述导线部电连接，所述导线部与所述数据线交叠形成所述保护电容。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于：所述导线部的材料与所述像素电极的材料相同。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于：所述导线部通过过孔与所述栅线电连接。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于：所述导线部位于所述像素电极的所在层内。
7.根据权利要求书1-6任一所述的像素结构，其特征在于：所述保护电容有多个，均与所述寄生电容并联设置，多个保护电容是由多个分支部实现的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810057694.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
