[发明专利]多晶硅铸锭炉及控制方法

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭炉，包括封闭的炉体(1)、在炉体(1)内的 底部固定设置的工作台(8)、在工作台(8)上活动设置的坩埚(3)、 CPU及接口电路，其特征在于，在所述的工作台(8)上活动设置一 罩体(13)，该罩体(13)通过从炉体(1)的顶部穿出的提升杠与提 升装置(6)机械连接在一起，该提升装置(6)的电控端通过通讯接 口电路RS232与所述的CPU电连接在一起；在所述的罩体(13)的 顶板上设置有通过孔，穿线管(18)通过该通过孔从炉体的顶部穿出， 且罩体(13)可沿穿线管(18)上下移动，在罩体(13)内设置有电 阻加热丝(9)，该电阻加热丝(9)通过从穿线管(18)中穿过的导 线与炉外的电加热功率调节装置(12)电连接在一起，电加热功率调 节装置(12)通过第一接口电路(16)与CPU电连接；在所述的炉 体(1)内还设置有温度传感器(5)和压力传感器(19)，温度传感 器(5)通过第二接口电路(7)与CPU电连接，压力传感器(19) 通过第三接口电路(4)与CPU电连接，CPU通过第四接口电路(15) 与气体流量计(11)的电控端电连接，实现对从保护气入口(10)进 入到炉体的保护气的气流的控制，在所述的炉体(1)上还设置有保 护气排气装置(2)，该保护气排气装置(2)的排气泵(14)的电控 端与CPU电连接在一起。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉，其特征在于，所 述的提升装置(6)有三组，这三组提升装置在炉体(1)的顶部呈等 边三角形分布排列，在CPU的控制下对罩体实现同步提升。

3.一种实现对权利要求1所述的多晶硅铸锭炉进行控制的方法， 是通过以下步骤实现的：

(1)通过CPU中程序，设定对炉体(1)的自动控制时间为 4小时；

(2)通过CPU的外部设备分别设定炉体(1)内的温度为 1435℃，设定炉体(1)内的压力为460mbar，设定炉体(1)内的罩 体(13)的提升高度为22cm；

(3)CPU通过电加热功率调节装置(12)对电阻加热丝(9) 进行加热，使炉体(1)内的温度到达1435℃，并保持在1435℃；同 时，CPU通过调节气体流量计(11)和排气泵(14)的气体流量，使 炉体(1)内的压力到达460mbar，并保持在460mbar；同时，CPU 通过通讯接口电路RS232和提升装置(6)将罩体(13)提升高度为 22cm；

(4)当时间到达4小时，CPU关闭所有设备。