[发明专利]一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法无效
| 申请号： | 200810051421.1 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101404246A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李占国;刘国军;李林;李梅;尤明慧;乔忠良;王勇;邓昀;王晓华;赵英杰;李联合 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 ingasb 量子 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法，其外延结构包括衬底(1)、缓冲层(2)、种子量子点(3)、短周期超晶格(4)、GaSb盖层(5)及大尺寸量子点(6)；采用MBE方法，在(001)取向、Si掺杂浓度1-2×1018cm-3的GaAs衬底(1)上依次生长：
厚度1μm、非掺杂的GaAs缓冲层(2)，生长温度580℃；
厚度2.2MLs、自组织生长方法的InGaSb种子量子点(3)，生长温度420℃；
8-10个周期的7MLs的GaSb层和2MLs的InGaSb层构成的短周期超晶格层(4)，生长温度420℃；每生长7MLs的GaSb层后，间断生长90s，生长2MLs的InGaSb，间断生长20s；重复周期8-10个；
厚度为0.2μm的GaSb盖层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法，其特征在于，GaSb盖层(5)厚度为0.2μm，生长温度540℃。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法，其特征在于，大尺寸量子点(6)纵横比为20/22，量子点中In组分的含量大于12％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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