[发明专利]一种调制结构的一维Fe3O4纳米针材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810047824.9 申请日: 2008-05-26
公开(公告)号: CN101280442A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 刘曰利;陈文;钟蕾;李洪全;舒威;周静 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C25D3/20 分类号: C25D3/20;C25D5/00;C23C8/14;C23F17/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 唐万荣
地址: 430070湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 调制 结构 fe sub 纳米 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有调制结构的一维Fe3O4纳米针材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:

1)将氯化亚铁、硼酸、糖精和氟化钠溶解在蒸馏水中,然后通过滴加稀硫酸或氢氧化钠水溶液调整pH值为2.0,配制成电解液,置于赫尔槽中;按每升电解液中配:氯化亚铁380g、硼酸20g、糖精5g、氟化钠2.5g;

2)采用脉冲电沉积技术,采取输出脉冲频率f为50~500Hz、占空比r为5~50%、正脉冲工作电流0.3-0.5A、负脉冲工作电流0.1-0.3A的脉冲电沉积参数;将导电金属基板置于储有步骤1)的电解液的赫尔槽中,使导电金属基板与电源阴极连接,电源阳极与标准阳极连接,脉冲电沉积3~20分钟,在导电金属基板表面电沉积一层纳米晶Fe薄膜;

3)将纳米晶Fe薄膜在空气中900℃下加热0.5~3小时,得具有调制结构的一维Fe3O4纳米针材料。

2.根据权利要求1所述的一种具有调制结构的一维Fe3O4纳米针材料的制备方法,其特征在于:所述的导电金属基板的材料为Cu、Ni、不锈钢或铁片。

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