[发明专利]一种静态随机访问存储器的存储单元

权利要求书

1、一种静态随机访问存储器单元，包括锁存电路(1)和位选择电路(2)，其特征在于：该单元还包括单掷开关电路(3)，单掷开关电路(3)的两端分别接锁存电路(1)的第一数据存储节点(X)和第二数据存储节点(X)。

2、根据权利要求1所述的静态随机访问存储器单元，其特征在于：单掷开关电路(3)为一个MOS晶体管开关。

3、根据权利要求2所述的静态随机访问存储器单元，其特征在于：单掷开关电路(3)为本征MOS管、耗尽型PMOS管或低阈值PMOS管。

4、根据权利要求1、2或3所述的静态随机访问存储器单元，其特征在于：锁存电路(1)包括NMOS管T1和T3以及PMOS管T2和T4，位选择电路(2)包括NMOS管T5和T6；两个PMOS管T2和T4是负载管，其源极相连，接电压VDD；两个NMOS管T1和T3为存储管，PMOS管T2和NMOS管T1的漏极相连，接第一数据存储节点(X)，PMOS管T4和NMOS管T3的栅极相连，也接第一数据存储节点(X)；PMOS管T4和NMOS管T3的漏极相连，接第二数据存储节点(X)，PMOS管T2和NMOS管T1的栅极相连，也接第二数据存储节点(X)；NMOS管T1和T3的源极连接到地，NMOS管T5和T6的栅极相连，接第一字线(WL1)信号；NMOS管T5的源极接第一数据存储节点(X)，漏极接第一位线(BL1)；NMOS管T6的源极接第二数据存储节点(X)，漏极接第一互补的位线(BL1)。

5、根据权利要求4所述的静态随机访问存储器单元，其特征在于：位选择电路(2)还包括NMOS管T9，NMOS管T9为隔离管，NMOS管T9的漏极接NMOS管T6的源极，NMOS管T9的栅极接第二数据存储节点X，源极连接地；NMOS管T1的源极连接到写预充电信号线PL。

6、根据权利要求4所述的静态随机访问存储器单元，其特征在于：位选择电路(2)还包括PMOS管T10和T11，PMOS管T10的源极接第一数据存储节点(X)，漏极接第二位线(BL2)；PMOS管T11的源极接第二数据存储节点(X)，漏极接第二互补的位线(BL2)，PMOS管T10和T11的栅极连接，接第二字线(WL2)。