[发明专利]一种有机电致发光器件的制备方法无效
申请号: | 200810046330.9 | 申请日: | 2008-10-21 |
公开(公告)号: | CN101373816A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;于军胜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子元件中有机电致发光技术领域,具体涉及一种导电聚合物有序纳米薄膜作为空穴注入层的有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
近年来,导电聚合物聚3,4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)由于具有电导率高、热稳定及透明性好等特点,逐步成为有机电子材料研究的热点。掺杂态的PEDOT具有较高的电导率,为一种富空穴材料,因而可以作为有机电子器件的空穴传输材料。其后通过共聚的方法,拜尔公司获得了一种电导率可调控且水溶性的聚3,4-乙烯基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)导电聚合物胶体,它具有环境稳定性好以及良好的电子阻挡特性和透明性,并对ITO有良好的亲合性,成为有机电致发光器件空穴注入缓冲层的理想材料。在发光层之间引入能级和ITO相匹配的有机材料作为空穴注入缓冲层进行界面修饰,可以增强空穴的注入效率,从而减小开启电压,在一定程度上增强发光效率。目前,为了提高PEDOT:PSS作为空穴注入层的注入效率主要有两方面的报道:一方面通过和不同有机溶剂混合、加入掺杂剂以及用臭氧、等离子处理和施加电场等方法对它的空穴注入性能进行改善,以提高器件的发光性能。另一方面通过改变空穴注入层的薄膜结构,如采用准有序膜来代替无序旋涂膜来制备PEDOT:PSS空穴注入层,可以明显提高空穴注入效率,从而改善器件的发光性能。但目前针对PEDOT:PSS来制备有序膜的方法主要为静电自组装方法(electrostatic self-assembly,ESA),而这种薄膜制备方法无法避免聚电解质层间的交联,层与层之间界面较为模糊而只能获得一种准有序结构,无法进一步改善导电聚合物PEDOT材料的空穴注入效率。因此采用一种有效的方法来获得超薄、高度有序的PEDOT薄膜,对于制备高性能的空穴注入层并提高有机电致发光器件的性能具有重要意义。
Langmuir-Blodgett(LB)技术是一种在分子水平上组装有序超薄膜材料的技术,LB膜界面具有局域化学控制和有序模板效应,这种方法不仅可以获得超薄厚度的薄膜,而且还能够得到高度有序的薄膜。通过该方法来制备PEDOT多层有序膜,可以探索导电聚合物在有序纳米模板中的聚合过程,研究这种多层有序膜中载流子传输过程,并可以为其它类型聚合物有序薄膜的制备提供重要参考。
从目前研究来看,对PEDOT有序纳米薄膜的研究取得了一定的进展,但也存在很多问题。首先ESA方法无法获得一种完全有序的层状结构,而且可溶性的PEDOT:PSS聚合物电导率明显不如PEDOT高,影响了载流子的迁移速率;另外,虽然通过单体的改性可以得到以PEDOT为基材料的有序结构,但是长烷基链的加入明显降低了导电聚合物的电导率,因此迫切需要一种方法来得到结构上严格有序的导电聚合物纳米薄膜,同时聚合物是原位制备的,分子链结构未发生变化,不影响导电聚合物自身的电导率。
尽管近年来OLED技术已取得长足的进步,但是目前的技术在有机电致发光领域中仍然存在很多瓶颈。无论是从薄膜的材料还是从薄膜的结构来提高器件的空穴注入效率都是至关重要的。尤其是利用已知的具有优良光电性能的导电聚合物材料、采用结构优化、尽可能提高器件性能的结构,如LB膜法或者静电自组装等方法,实现载流子注入效率的提高,而得到高效、低成本的器件方面,特别需要人们去不断的探索。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是如何提供一种有机发光电致器件的制备方法,该方法所制备的有机电致发光器件能克服了现有技术中所存在的缺陷,提高了空穴注入的效率,提高了器件的发光效率,同时制备方法简单易于操作。
本发明所提出的技术问题是这样解决的:提供一种有机电致发光器件的制备方法,器件包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层,所述有机功能层至少包括空穴注入层和发光层,所述发光层在外加电源的驱动下发光,其特征在于,制备方法包括以下步骤:
(1)将器件阳极进行表面处理;
(2)将表面活性剂溶于溶剂中,形成表面活性剂单分子溶液;
(3)将氧化剂溶于亚相中,并调整溶液的pH值(7.0<PH<9.0);
(4)将表面活性剂单分子溶液滴加于含氧化剂的亚相,并形成复合单分子膜;
(5)控制LB拉膜机滑障压缩复合单分子膜到成膜膜压,采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至步骤(1)所得阳极层上;
(6)将沉积了复合单分子膜的阳极层首先暴露于氧化性气体中;
(7)将沉积了复合单分子膜的阳极层再暴露于导电聚合物单体气氛中;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810046330.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择