[发明专利]一种直流弧光放电PCVD金刚石薄膜制备的基底恒温技术无效
| 申请号: | 200810046252.2 | 申请日: | 2008-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN101413116A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
| 发明(设计)人: | 汪灵;张湘辉;龙剑平 | 申请(专利权)人: | 成都理工大学 |
| 主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/52;C23C16/27 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610059四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 直流 弧光 放电 pcvd 金刚石 薄膜 制备 基底 恒温 技术 | ||
1、一种用于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜制备的基底自动恒温技术,包括铠装热电偶、水冷基底托架装置、带负反馈功能PID调节器、后备操作器、电动调节阀、双通道液晶数字显示仪和摄像头组成的测、控温硬件系统;基于BT2000工控组态软件平台的windows人机交互界面以及双热电偶较温技术,其特征在于:
A、在基底托架以及反应腔中设置了热电偶传感器,分别测量基体工件背面、侧面部位的温度,热电偶采用K分度,基底工件背面的温度由PID调节器显示,基底工件侧面的温度由双通道液晶数字显示仪显示;
B、先在反应腔外用红外测温仪经观察窗测量出基底工件表面的温度,然后结合双热电偶测量出的基底工件背、侧面的温度,作出三组数据的曲线图,最后通过数值模拟得出拟合度最好的基底表面、侧面、背面温度的换算公式;
C、由包括水冷基底托架装置、带负反馈功能PID调节器、后备操作器和电动调节阀组成闭环控温系统,在实验中将需要的基体表面温度换算为基底工件的背面温度,并作为控制量由控温系统进行偏差控制;
D、基于BT2000工控组态软件平台开发了直流弧光放电PCVD沉积过程中的人机交互界面,可分别与PID调节器、后备操作器、电动调节阀和摄像头设备进行通信,可分别对沉积过程中图像和温度数据进行实时监控,并具有基底温度采集、多时间段基底温度程序设定、历史数据调用、电动调节阀阀位信号采集设定、温度报警、基底表面温度的多元非线性拟合功能。
2、根据权利要求1所述的一种用于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜制备的基底自动恒温技术,其特征在于:水冷基底托架装置(2)通过不锈钢真空法兰(3)、聚砜法兰(4)、不锈钢压片(5)、锁紧螺母(6)、锁紧螺栓(11)、“O”型密封圈(12)与反应腔(1)进行装配,包括有“T”型基底托架(2)、锁紧螺母(6)、水箱连接件(7)、进出水嘴(8)、铠装热电偶(9)、锁紧件(10)、冷却水套管(13)、热电偶套管(14),“T”型基底托架(2)背面、水箱连接件(7)中心部位分别焊接有热电偶套管(14)、冷却水套管(13),两者由螺纹连接后形成水循环空间。
3、根据权利要求1所述的一种用于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜制备的基底自动恒温技术,其特征在于:铠装热电偶(9—1)安装在水冷基底托架装置(2)内部热电偶套管(14)中,铠装热电偶(9—2)安装在由平头螺钉(16)、“O”型密封圈(12—8)固定在反应腔(1)右侧的聚砜法兰(4—2)中,并由“O”型密封圈(12—9)、锁紧螺母(6—4)固定。
4、根据权利要求1所述的水冷基底托架自动恒温装置,其特征在于:铠装热电偶(9—2)、水冷基底托架(2)在反应腔(1)中的部分套有石英玻璃套管(15—1)、(15—2)用于绝缘及屏蔽等离子体场的作用,铠装热电偶(9—2)通过聚砜法兰(4—2)与反应腔(1)绝缘。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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