[发明专利]一种以页为单位的NAND闪存管理方法有效

专利信息
申请号: 200810045808.6 申请日: 2008-08-14
公开(公告)号: CN101339537A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 孙银明 申请(专利权)人: 四川登巅微电子有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 成都天嘉专利事务所 代理人: 方强
地址: 610041四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 单位 nand 闪存 管理 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及移动存储设备的闪存数码产品,特别是一种以页为单位的NAND 闪存管理方法。

背景技术

根据现有闪存自身的特性,在出厂和使用过程中都会出现坏块,必须有相应 的方法来管理。

传统的管理方法都按照块为单位进行管理,只要该块内有坏的位或者是坏的 位数超出了限定值,就将该块废弃。这种以块为单位的管理方法,主要缺点是闪 存利用率低,同时两种方法的共同缺点是数据的回拷贝消耗较大,这是由闪存的 自身特性决定的。随着闪存的发展每块的容量不断增大,丢弃整块的做法会产 生很大的浪费,以页为单位的管理方法就显得非常的重要。

对于闪存中块页和扇区的关系,以三星K9F2G08UOM为例,它由2048个块组 成,每块有64个页组成,每页有4个扇区组成,每个扇区的大小是512个字节。 闪存大概的发展趋势是每块的页数目增加,目前最大128页,每页的扇区数目增 加,有8,16,32不等,即单个块的容量增大了很多。

对于由生产工艺缺陷造成的闪存损坏,比如所有块的某页(或某些页)全部 损坏,或者某扇区(或某些扇区)损坏,用块管理的方法就会判定为坏块,不可 使用,而页管理的方法就可以利用其中的好页,使闪存重新得到利用。

发明内容

本发明为解决上述问题提供了一种以页为单位的NAND闪存管理方法,特别 适用于坏块数多且坏块内有好页的情况,可以大幅提高闪存的利用率。

本发明的技术方案如下:

一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在于:对闪存进行扫描判断 得到好页坏页,并形成坏页表,然后剔除坏页表中的坏页信息,将坏页表转换成 映射表;所述映射表是只有好页的逻辑地址到物理地址的一个对应关系。

NAND闪存是一种比硬盘更好的存储介质,“NAND”是与非门的意思,代表其 存储的原理,这种闪存效率很高,加上存储单元面积小和写(编程)和擦除操作的 速率快等优点,使它成为当今低成本消费市场的主要存储介质。

所述好页坏页用一个位表示,即位信息,“1”表示坏页,“0”表示好页,8 个页的好坏位刚好组成一个8位数据,如“20H”,二进制就是“0010 0000”则 表示第6个页是坏页,依次类推,闪存有多少页就有多少个位信息。

所述将坏页表转换成映射表,是指将单个位的坏页信息转换为物理地址信 息,然后剔除坏页对应的物理地址信息,最后得到只保留了好页物理地址信息的 映射表。

所述物理地址信息包括页所在的块地址和页地址,所述物理地址信息为4 个字节。

所述映射表中的逻辑地址是连续的,物理地址是不连续的。

所述坏页表的位信息分成很多小段来管理,每段的好页数相等,最后一个段 的好页数可以不等,每一段就称为一个区。

所述坏页表转换成映射表是按照区来进行的,即一次只转换一个区,当操作 的逻辑地址不在该区内时,就建立新的区,每个区的大小指定比较灵活,根据闪 存的容量和系统资源来分配。也就是说实际的对闪存的访问就变成了,先建立坏 页表,然后根据访问的闪存的页地址,计算它在哪个区内,然后建立区的闪存影 射表,得到实际操作的闪存物理地址。

本发明的有益效果如下:

本发明以页为单位来管理,页是块的更小单位,这样可以把坏块中的好页利 用起来,提高闪存的实际可使用容量。同时,该管理方法能将部分废弃的闪存和 因生产缺陷而无法使用的闪存,重新按照页的方式来使用,回收利用,有很好的 发展前景。

具体实施方式

实施例1

一种以页为单位的NAND闪存管理方法,对闪存进行扫描判断得到好页坏页, 并形成坏页表,然后剔除坏页表中的坏页信息,将坏页表转换成映射表;所述映 射表是只有好页的逻辑地址到物理地址的一个对应关系。

NAND闪存是一种比硬盘更好的存储介质,“NAND”是与非门的意思,代表其 存储的原理,这种闪存效率很高,加上存储单元面积小和写(编程)和擦除操作的 速率快等优点,使它成为当今低成本消费市场的主要存储介质。

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