[发明专利]一种以页为单位的NAND闪存管理方法有效

专利信息
申请号: 200810045808.6 申请日: 2008-08-14
公开(公告)号: CN101339537A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 孙银明 申请(专利权)人: 四川登巅微电子有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 成都天嘉专利事务所 代理人: 方强
地址: 610041四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 单位 nand 闪存 管理 方法
【权利要求书】:

1.一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在于:对闪存进行扫描判 断得到好页坏页,并形成坏页表,然后剔除坏页表中的坏页信息,将坏页表转换 成映射表;所述映射表是只有好页的逻辑地址到物理地址的一个对应关系;所述 将坏页表转换成映射表,是指将单个位的坏页信息转换为物理地址信息,然后剔 除坏页对应的物理地址信息,最后得到只保留了好页物理地址信息的映射表。

2.根据权利要求1所述的一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在 于:所述好页坏页用一个位表示,即位信息,“1”表示坏页,“0”表示好页。

3.根据权利要求1所述的一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在 于:所述物理地址信息包括页所在的块地址和页地址,所述物理地址信息为4 个字节。

4.根据权利要求1所述的一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在 于:所述映射表中的逻辑地址是连续的,物理地址是不连续的。

5.根据权利要求1所述的一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在 于:所述坏页表的位信息分成很多小段,每段的好页数相等,最后一个段的好页 数不等,每一段就称为一个区。

6.根据权利要求1所述的一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在 于:所述坏页表转换成映射表是按照区转换的,即一次只转换一个区。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川登巅微电子有限公司,未经四川登巅微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810045808.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top