[发明专利]单管SONOS NOR型快速闪存存储单元的布线结构

权利要求书

1.一种单管SONOS NOR型快速闪存存储单元的布线结构，该存储单元采用矩阵阵列布局，其特征在于，两列存储单元共用一条源线的布线，以及两个存储单位共用一个源端。

2.如权利要求1所述的单管SONOS NOR型快速闪存存储单元的布线结构，其特征在于，相邻两列存储单元的源线采用一条金属线将其引出，相同行相邻的两个存储单位的源端连在一起。

3.如权利要求1或2所述的单管SONOS NOR型快速闪存存储单元的布线结构，其特征在于，在使用共用源线时，相同行相邻的两个存储单位的源端连在一起时的漏电和击穿电压应满足电路对器件的要求：击穿电压至少应该大于存储管的最低耐压，漏电流至少应该大于存储管在读取低电流情况下的最大读取电流。

4.如权利要求3所述的单管SONOS NOR型快速闪存存储单元的布线结构，其特征在于，所述击穿电压设置在5～10V之间，所述漏电流设置在1皮安至1微安之间。