[发明专利]半导体器件P2ID和SM的测试结构有效
| 申请号： | 200810044124.4 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752345A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘玉伟;张会锐;卜皎;曹刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 p2id sm 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件P2ID和SM的测试结构，其特征在于，包括依次排 列的多个接触测试衬垫，第一测试衬垫(1)连接一个第一场效应晶体管的 衬底端，第二测试衬垫(2)连接所述第一场效应晶体管的源极或漏极，第 三测试衬垫(3)连接所述第一场效应晶体管的漏极或源极，第四测试衬垫 (4)连接所述第一场效应晶体管的栅极，所述第四测试衬垫(4)通过一 个第一金属天线连接到第八测试衬垫(8)；第十二测试衬垫(12)连接一 个第二场效应晶体管的衬底端，第十一测试衬垫(11)连接所述第二场效 应晶体管的漏极或源极，第十测试衬垫(10)连接所述第二场效应晶体管 的源极或漏极，第九测试衬垫(9)连接所述第二场效应晶体管的栅极，所 述第九测试衬垫(9)通过一个第二金属天线连接到第五测试衬垫(5)，所 述第一金属天线和第二金属天线为蛇形，在所述第五测试衬垫(5)与所述 第八测试衬垫(8)之间的芯片区域，第一金属天线和第二金属天线相互重 叠。
2.根据权利要求1所述的半导体器件P2ID和SM的测试结构，其特征 在于，所述场效应晶体管的栅极还并联有保护二极管。
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