[发明专利]2T嵌入式浮栅电可擦写只读存储器无效
| 申请号： | 200810044113.6 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101751998A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈昊瑜;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 浮栅电可 擦写 只读存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种2T嵌入式浮栅电可擦写只读存储器，其特征在于，内部高压产生模块产生一个正电压(Vpos)和一个负电压(Vneg)，正电压(Vpos)和负电压(Vneg)之间的电势差为隧穿高电压(Vppl)，并且使存储单元发生隧穿效应。
2.根据权利要求1所述的2T嵌入式浮栅电可擦写只读存储器，其特征在于，对存储器写入时正电压(Vpos)施加至存储管的漏端，负电压(Vneg)施加至存储管的控制栅；对存储器擦除时正电压(Vpos)施加至存储管的控制栅，负电压(Vneg)施加至存储管的漏端。
3.根据权利要求1所述的2T嵌入式浮栅电可擦写只读存储器，其特征在于，正电压(Vpos)和负电压(Vneg)的电压绝对值为隧穿高电压(Vppl)的一半。
4.根据权利要求1所述的2T嵌入式浮栅电可擦写只读存储器，其特征在于，只读存储器电路中实现Vpos和Vneg的晶体管为中压晶体管。
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