[发明专利]用SONOS晶体管作选择管的存储器单元

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器单元，具体涉及一种非挥发性存储器单元。

背景技术

目前，常规的双管单元的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器，其中一个SONOS管作为存储器件，一个常规NMOS管作为选择管。由于栅介质不一样，一个是氧化物-氮化物-氧化物(ONO)，一个是氧化物，考虑到特征尺寸、堆叠，以及湿法工艺底切等的工艺偏差，SONOS栅极和NMOS栅极之间需要很大的空间，造成单元尺寸缩小的瓶颈。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够有效缩小尺寸的存储单元。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种用SONOS晶体管作选择管的存储器单元，包括一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管作为存储器件，该存储器单元的选择管为硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管。

因为本发明在现有的双管存储单元结构中，用硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)管代替MOS管作为选择管，从而大大缩小SONOS栅极和MOS栅极之间的距离，进而有效缩小存储单元的尺寸。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是目前公知结构版图的示意图；

图2是目前公知结构的剖面图；

图3是本发明实施例的结构版图；

图4是本发明实施例所述结构的剖面图。

具体实施方式

如图1所示的目前公知结构版图的示意图。存储单元两个栅之间的距离为F。其中F1为氧化物-氮化物-氧化物ONO和栅之间的套偏偏差以及特征尺寸的误差，F2为氧化物-氮化物-氧化物ONO和栅之间的套偏偏差以及湿法底切的工艺冗余，F3为氧化物-氮化物-氧化物ONO和栅之间的套偏偏差以及特征尺寸的误差。如图2所示的目前公知结构的剖面图，两个栅之间的距离较大。

如图3所示的本发明实施例的结构版图，本发明提供了一种用SONOS晶体管作选择管的存储器单元，包括一个SONOS管作为存储器件，该存储器单元的选择管也为SONOS管。因为本发明在现有的双管存储单元结构中，用硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)管代替MOS管作为选择管，从而大大缩小SONOS栅极和MOS栅极之间的距离，进而有效缩小存储单元的尺寸。

在改进过的结构中，两个栅之间的间距只由多叉线之间的最小距离决定，在本发明实施例的工艺中，尺寸减小了1/3。如图4所示的本发明实施例的剖面图，两个栅之间的距离较小。