[发明专利]用SONOS晶体管作选择管的存储器单元无效
申请号: | 200810043957.9 | 申请日: | 2008-11-20 |
公开(公告)号: | CN101740119A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 陈广龙 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sonos 晶体管 选择 存储器 单元 | ||
【权利要求书】:
1.一种用SONOS晶体管作选择管的存储器单元,包括一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管作为存储器件,其特征在于,该存储器单元的选择管为硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管。
2.如权利要求1所述的用SONOS晶体管作选择管的存储器单元,其特征在于,两个栅之间的间距为多叉线之间的最小距离。
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