[发明专利]提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构及其制作方法

权利要求书

1.一种提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构，其结构顺序为，第一层钛，第二层氮化钛，第三层铝铜，第四层钛，第五层氮化钛；其特征在于，在第二层氮化钛和第三层铝铜之间有一层钛铝合金。

2.如权利要求1所述的提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构，其特征在于，所述的位于第二层氮化钛和第三层铝铜之间的钛铝合金的厚度在20埃至70埃之间。

3.如权利要求1所述的提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、淀积第一层钛和第二层氮化钛；

步骤二、在淀积完需要的第二层氮化钛后关闭氮气，在氮化钛腔中在第二层氮化钛表面淀积一层钛，然后将腔体抽真空并将硅片取出；

步骤三、淀积第三层铝铜；

步骤四、淀积第四层钛和第五层氮化钛。

4.如权利要求3所述的提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构的制作方法，其特征在于，步骤三中淀积第三层铝铜时温度高于380摄氏度。