[发明专利]沟槽型功率MOS晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽型功率MOS晶体管，所述沟槽型功率MOS晶体管包括在硅基体上从下往上依次平行设置的漏区、衬底区和源区，垂直与所述漏区、衬底区和源区的沟槽内为填充有多晶硅的栅级，所述多晶硅和沟槽内壁之间生长有栅氧，其特征在于：所述沟槽底部的栅氧比沟槽侧壁的栅氧厚两倍以上，且所述沟槽底部的栅氧的上表面低于所述衬底区的下表面。

2.如权利要求1所述的沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，在硅上刻蚀完沟槽且在沟槽内壁生长牺牲氧化层之后，包括如下步骤：

1)在沟槽底部淀积一预定厚度的二氧化硅；

2)采用CMP研磨法去除硅表面的二氧化硅；

3)湿法刻蚀沟槽内的二氧化硅，至沟槽底部的二氧化硅达到所需要求；

4)热氧法在沟槽侧壁生长二氧化硅，所述侧壁二氧化硅的厚度为器件设计的栅氧厚度；

5)在沟槽内完全填充多晶硅，后平整化去除硅表面的多晶硅，形成栅极。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤三中湿法刻蚀后剩余的沟槽底部的二氧化硅的厚度为侧壁二氧化硅厚度的两倍以上，且沟槽底部二氧化硅的上表面低于所述沟槽型功率MOS晶体管中衬底区的下表面。