[发明专利]射频压焊块的仿真方法

权利要求书

1.一种射频压焊块等效电路电学模型，其特征在于，

所述射频压焊块等效电路电学模型包括串联电阻、介质层所带来的寄 生电阻、介质层所带来的寄生电容、硅衬底所带来的寄生电阻、硅衬底所 带来的寄生电容；所述介质层所带来的寄生电阻同所述介质层所带来的寄 生电容并接，所述硅衬底所带来的寄生电阻同所述硅衬底所带来的寄生电 容并接，所述介质层所带来的寄生电阻同所述介质层所带来的寄生电容并 接后一端接所述串联电阻的一端，另一端接所述硅衬底所带来的寄生电阻 同所述硅衬底所带来的寄生电容并接后的一端；

所述串联电阻的另一端作为进行仿真的射频端口，所述硅衬底所带来 的寄生电阻同硅衬底所带来的寄生电容并接后的另一端在进行仿真时接 地。

2.根据权利要求1所述的射频压焊块等效电路电学模型，其特征在 于，所述射频压焊块等效电路电学模型的模型参数提取方法是：

步骤一.对射频压焊块进行射频测试，将射频探针接触射频压焊块， 同时扫描一组频率，得到不同频率点上的单端口射频散射参数、射频阻抗 参数及射频导纳参数；

步骤二.根据射频阻抗参数与不同频率点的关系数据曲线，利用数值 优化及曲线拟合的建模方法，确定射频压焊块的串联电阻的数值；将介质 层所带来的寄生电阻设为10e3～100e3欧姆，根据射频导纳参数与不同 频率点的关系数据曲线，利用数值优化及曲线拟合的建模方法，确定介质 层所带来的寄生电容的数值；将硅衬底所带来的寄生电容设为10e-15～ 100e-15法拉，根据射频散射参数与不同频率点的关系数据曲线，利用数 值优化及曲线拟合的建模方法，确定硅衬底所带来的寄生电阻的数值。

3.根据权利要求2所述的射频压焊块等效电路电学模型，其特征在 于，将介质层所带来的寄生电阻设为10e3欧姆、40e3欧姆、50e3欧姆、 60e3欧姆或100e3欧姆，根据射频导纳参数与不同频率点的关系数据曲 线，利用数值优化及曲线拟合的建模方法，确定介质层所带来的寄生电容 的数值。

4.根据权利要求2所述的射频压焊块等效电路电学模型，其特征在 于，将硅衬底所带来的寄生电容设为10e-15法拉、40e-15法拉、50e-15 法拉、60e-15法拉或100e-15法拉，根据射频散射参数与不同频率点的 关系数据曲线，利用数值优化及曲线拟合的建模方法，确定硅衬底所带来 的寄生电阻的数值。