[发明专利]一种聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200810041621.9 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101649058A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 吴同飞;杨桂生 | 申请（专利权）人： | 上海杰事杰新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08K3/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 201109*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚偏氟 乙烯 极化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)将蒙脱土分散于去离子水中，在50～90℃搅拌2～6小时，得到蒙脱土悬浮液，备用；
(2)将聚偏氟乙烯(PVDF)溶解于溶剂中制成聚偏氟乙烯溶液；
(3)将上述蒙脱土悬浮液和聚偏氟乙烯溶液混合均匀，在温度低于150℃下浇注、挥发溶剂制得聚偏氟乙烯可极化薄膜，该薄膜中蒙脱土含量0.01wt％-20wt％。
2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的蒙脱土包括阳离子交换能力大于45mequiv·100g-1的原土。
3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的蒙脱土悬浮液的浓度为0.01wt％-5wt％。
4.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的聚偏氟乙烯包括工业级聚偏氟乙烯。
5.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的溶剂包括N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺。
6.根据权利要求5所述的聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的N，N-二甲基甲酰胺包括工业级或者为化学纯的N，N-二甲基甲酰胺，所述的N，N-二甲基乙酰胺包括工业级或者为化学纯的N，N-二甲基乙酰胺。
7.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的聚偏氟乙烯溶液的浓度为0.01wt％-20wt％。
8.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤(3)中溶剂的挥发温度为100℃-150℃。
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