[发明专利]提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置及其方法有效
| 申请号: | 200810041543.2 | 申请日: | 2008-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN101649486A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
| 发明(设计)人: | 柳祝平;袁新强;黄小卫 | 申请(专利权)人: | 上海元亮光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/28 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201800上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 提拉法 生长 石榴石 tgg 晶体 装置 及其 方法 | ||
1.一种生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置包括:一称量装置、 一旋转装置、一加热装置和一开孔三坩埚,其特征在于:它是由加热元件、耐 火材料外壳、陶瓷保温材料、加料管、原料补给坩埚、原料补给过渡坩埚、生 长坩埚、晶体、耐火材料底座以及设置生长坩埚上的开孔构成,然后通过上、 下提拉杆进行提拉旋转,所述开孔三坩埚在原料补给过渡坩埚的下端开有一排 小孔;所述在生长坩埚壁的上部、液面以下部分也开出一排小孔。
2.根据权利要求1所述生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置, 其特征在于:所述称量装置根据晶体生长的重量的增加速度,以调整相应加料 速度。
3.根据权利要求1所述生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置, 其特征在于:所述旋转装置根据籽晶轴带动籽晶旋转生长,以提高晶体质量。
4.根据权利要求1所述生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置, 其特征在于:所述加热装置采用铜线圈感应加热。
5.利用权利要求1所述装置生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的方 法,具体步骤为:
a.原料准备:使用商业用高纯原料,按摩尔比Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.05~5.15 和Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.15~5.30,其中,Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.05~5.15为料A, Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.15~5.30为料B,称取高纯度大于99.99%Tb2O3和Ga2O3两 种混合料各1000g,分别对混合料A和混合料B进行混合24小时,然后压实为 料块,再将料块在1000℃~1400℃锻烧10小时成镓酸铽料,将部分料块研磨为 粉料作为补给料,烧结后的料,部分采用高压制备成块状作为锅底料,部分研 磨成粉末作为补给料;
b.第一次加料:料A经煅烧后采用高压制备成块状的料块放于三坩埚系统 的原料补给坩埚内,料B经煅烧后采用高压制备成块状的料块放于生长坩埚内, 抽高真空后充入氩气、氮气或者二氧化碳中的一种或几种,到常压后升高中频 功率,熔化原料,上下轴同时反方向旋转,开始晶体生长;
c.补给料生长:当晶体开始平稳生长以后,根据称量系统反馈的数据开始 补给原料,原料补给坩埚与原料补给过渡坩埚之间的区域界定为A区,原料补 给过渡坩埚与生长坩埚之间的区域界定为B区,生长坩埚所包含的区域界定为C 区,原料在A区上端熔化后,经原料补给过渡坩埚下端的小孔进入B区,混合 均匀后在B区上部与C区贯通。
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