[发明专利]提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置及其方法有效

专利信息
申请号: 200810041543.2 申请日: 2008-08-11
公开(公告)号: CN101649486A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 柳祝平;袁新强;黄小卫 申请(专利权)人: 上海元亮光电科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201800上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 提拉法 生长 石榴石 tgg 晶体 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置包括:一称量装置、 一旋转装置、一加热装置和一开孔三坩埚,其特征在于:它是由加热元件、耐 火材料外壳、陶瓷保温材料、加料管、原料补给坩埚、原料补给过渡坩埚、生 长坩埚、晶体、耐火材料底座以及设置生长坩埚上的开孔构成,然后通过上、 下提拉杆进行提拉旋转,所述开孔三坩埚在原料补给过渡坩埚的下端开有一排 小孔;所述在生长坩埚壁的上部、液面以下部分也开出一排小孔。

2.根据权利要求1所述生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置, 其特征在于:所述称量装置根据晶体生长的重量的增加速度,以调整相应加料 速度。

3.根据权利要求1所述生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置, 其特征在于:所述旋转装置根据籽晶轴带动籽晶旋转生长,以提高晶体质量。

4.根据权利要求1所述生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的装置, 其特征在于:所述加热装置采用铜线圈感应加热。

5.利用权利要求1所述装置生产提拉法生长铽镓石榴石(TGG)晶体的方 法,具体步骤为:

a.原料准备:使用商业用高纯原料,按摩尔比Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.05~5.15 和Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.15~5.30,其中,Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.05~5.15为料A, Tb2O3∶Ga2O3=3∶5.15~5.30为料B,称取高纯度大于99.99%Tb2O3和Ga2O3两 种混合料各1000g,分别对混合料A和混合料B进行混合24小时,然后压实为 料块,再将料块在1000℃~1400℃锻烧10小时成镓酸铽料,将部分料块研磨为 粉料作为补给料,烧结后的料,部分采用高压制备成块状作为锅底料,部分研 磨成粉末作为补给料;

b.第一次加料:料A经煅烧后采用高压制备成块状的料块放于三坩埚系统 的原料补给坩埚内,料B经煅烧后采用高压制备成块状的料块放于生长坩埚内, 抽高真空后充入氩气、氮气或者二氧化碳中的一种或几种,到常压后升高中频 功率,熔化原料,上下轴同时反方向旋转,开始晶体生长;

c.补给料生长:当晶体开始平稳生长以后,根据称量系统反馈的数据开始 补给原料,原料补给坩埚与原料补给过渡坩埚之间的区域界定为A区,原料补 给过渡坩埚与生长坩埚之间的区域界定为B区,生长坩埚所包含的区域界定为C 区,原料在A区上端熔化后,经原料补给过渡坩埚下端的小孔进入B区,混合 均匀后在B区上部与C区贯通。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海元亮光电科技有限公司,未经上海元亮光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810041543.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top