[发明专利]金属连线的制作方法有效
| 申请号: | 200810041380.8 | 申请日: | 2008-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN101645413A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
| 发明(设计)人: | 丁万春 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 丽 |
| 地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 连线 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及金属连线的制作方法。
背景技术
随着集成电路集成度的不断提高,金属连线变得更细、更窄、更薄,因 此其中的电流密度越来越大。在较高的电流密度作用下,金属连线中的金属 原子将会沿着电子运动方向进行迁移,这种现象就是电迁移(EM)。电迁移 能使集成电路中的金属连线在工作过程中产生断路或短路,是引起集成电路 失效的一种重要机制。所以,对于金属连线的质量要求很高。
现有金属连线的制作工艺如图1至图3所示。参考图1,在半导体衬底 10上形成钝化层12,所述钝化层12的材料是氮化硅等;在钝化层12上形成 阻挡层14,所述阻挡层14的材料为钛等;在阻挡层14上形成厚度为0.5μ m~10μm的金属层16,所述金属层16的材料为铜等;用旋涂法在金属层16 上形成厚度为5μm~10μm的光刻胶层18。
参考图2,对光刻胶层18进行曝光及显影,定义出金属连线图形;以光 刻胶层18为掩膜,用湿法刻蚀法刻蚀金属层16和阻挡层14至露出钝化层12, 形成金属连线16a。
如图3所示,用湿法刻蚀法去除光刻胶层18。
在例如申请号为200510093165的中国专利申请中还公布了更多相关信 息。
由于集成电路集成度的不断提高,使金属连线变得越来越细,光刻胶层 很容易剥落,如图4中金属连线1上没有光刻胶层,进而会影响金属连线的 形成。
同时由于光刻胶层的厚度为5μm~10μm,相对于金属连线的厚度0.5μ m~10μm,属于比较厚的,同时由于刻蚀工艺的各向异性,因此在后续刻蚀 过程中,刻蚀溶液在金属连线边缘停留时间长,进而造成金属连线边缘2被 刻蚀程度不一致(如图5所示)。
另外,由于刻蚀工艺的非选择性,造成金属连线表面会被刻蚀溶液腐蚀, 进而表面会产生缺陷。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种金属连线的制作方法,防止金属连线边缘 刻蚀不一致及金属连线表面产生缺陷。
为解决上述问题,本发明提供一种金属连线的制作方法,包括:在半导 体衬底上形成金属层;在金属层上形成焊料层,所述焊料层位置与后续金属 连线对应;以焊料层为掩膜刻蚀金属层至露出半导体衬底,形成金属连线; 去除焊料层。
可选的,形成焊料层的工艺为电镀。所述焊料层的材料为锡、锡铅合金 或锡银合金。所述焊料层的厚度为0.5μm~2μm。
可选的,所述金属层的材料是铜、铝或铝铜合金。
本发明提供一种金属连线的制作方法,包括:在半导体衬底上形成第一 金属层;在第一金属层上依次形成第二金属层和焊料层,所述焊料层位置与 后续金属连线对应;以焊料层为掩膜刻蚀第一金属层至露出半导体衬底,刻 蚀后的第一金属层与第二金属层构成金属连线;去除焊料层。
可选的,形成焊料层的工艺为电镀。所述焊料层的材料为锡、锡铅合金 或锡银合金。所述焊料层的厚度为0.5μm~2μm。
可选的,所述第一金属层和第二金属层的材料是铜、铝或铝铜合金。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:在形成金属连线过程中,以焊 料层为掩膜,由于焊料层的粘附能力强,因此不会产生剥落现象,进而不会 对金属连线产生影响。
另外,焊料层与金属层的结合力强,在后续刻蚀过程中,刻蚀溶液不会 渗透进去对金属连线造成影响;去除焊料层的溶液对金属层为一般的化学剂, 不会对金属连线有影响,提高了金属连线的质量。
上述方案的进一步优点:焊料层厚度为0.5μm~2μm,比较薄,在后续 刻蚀形成金属连线的过程中不会影响刻蚀溶液刻蚀金属层的效率,使金属连 线边缘平整。
附图说明
图1至图3是现有技术制作金属连线的示意图;
图4是现有技术制作金属连线过程中产生光刻胶层剥落的示意图;
图5是现有技术制作的金属连线边缘不平的效果图;
图6是本发明制作金属连线的第一具体实施方式流程图;
图7至图10是本发明制作金属连线的第一实施例示意图;
图11是本发明制作金属连线的第二具体实施方式流程图;
图12至图15是本发明制作金属连线的第二实施例示意图。
具体实施方式
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