[发明专利]金属连线的制作方法有效
| 申请号： | 200810041380.8 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645413A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 连线 制作方法 | ||
1.一种金属连线的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成金属层；
在金属层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影工艺，以在光刻胶 层上形成开口，所述开口的位置与后续金属连线的位置对应；
用电镀的方法在开口内形成焊料层，所述焊料层的厚度为0.5μm～2μm， 所述焊料层位置与后续金属连线对应；
去除光刻胶层；
以焊料层为掩膜刻蚀金属层至露出半导体衬底，形成金属连线；
去除焊料层，所述去除的方法为湿法刻蚀，刻蚀溶液为锡铅剥离液。
2.根据权利要求1所述金属连线的制作方法，其特征在于，所述焊料层的材 料为锡、锡铅合金或锡银合金。
3.根据权利要求1所述金属连线的制作方法，其特征在于，所述金属层的材 料是铜、铝或铝铜合金。
4.一种金属连线的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成第一金属层；
在第一金属层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影工艺，以在光 刻胶层上形成开口，所述开口的位置与后续金属连线的位置对应；
利用电镀的方法在开口内、在第一金属层上依次形成第二金属层和焊料 层，所述焊料层的厚度为0.5μm～2μm，所述焊料层位置与后续金属连线对 应；
以焊料层为掩膜刻蚀第一金属层至露出半导体衬底，刻蚀后的第一金属层 与第二金属层构成金属连线；
去除焊料层，所述去除的方法为湿法刻蚀，刻蚀溶液为锡铅剥离液。
5.根据权利要求4所述金属连线的制作方法，其特征在于，所述焊料层的材 料为锡、锡铅合金或锡银合金。
6.根据权利要求4所述金属连线的制作方法，其特征在于，所述第一金属层 和第二金属层的材料是铜、铝或铝铜合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
