[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极，位于栅极介电层和栅极侧壁的侧墙，位于栅极介电层两侧的半导体衬底内的源极和漏极；

在所述源极和漏极以及栅极上形成欧姆接触区；

在200～300℃的温度条件下对侧墙进行等离子体溅射；

湿法清洗所述的侧墙。

2.根据权利要求1所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述湿法清洗的试剂为95％～98％的硫酸溶液。

3.根据权利要求1所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述等离子体溅射的离子为氧化性离子。

4.根据权利要求3所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氧化性离子为氧离子。

5.根据权利要求1所述半导体器件的制作方法，其特征在于，等离子体溅射的时间为10～80秒。

6.根据权利要求1所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述欧姆接触区材料为自对准金属硅化物。

7.根据权利要求6所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述金属硅化物为硅化钴或者硅化镍。

8.根据权利要求1所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有位于栅极介电层和栅极侧壁并被所述侧墙包围的偏移隔离层，以及以偏移隔离层为掩膜在栅极介电层两侧的半导体衬底中形成的源极延伸区和漏极延伸区。