[发明专利]利用锗预非晶处理来形成P-型轻度掺杂的漏极区的方法

权利要求书

1.一种形成具有超浅轻度掺杂的扩散区的MOS器件的方法，所述方法包括：

提供包含表面区域的半导体衬底；

提供覆盖所述表面区域的栅极介电层；

形成覆盖所述栅极介电层一部分的栅极结构；

利用所述栅极结构作为掩模，使用锗物质实施第一注入工艺，以在所述半导体衬底中在轻度掺杂的漏极区内形成非晶区；

利用所述栅极结构作为掩模，使用P型杂质和碳物质在所述轻度掺杂的漏极区中实施第二注入工艺；

在所述轻度掺杂的漏极区中，进行第一热过程以活化所述P型杂质；

形成覆盖所述栅极结构一部分的侧壁隔离物；

利用所述栅极结构和所述侧壁隔离物作为掩模层，使用第一杂质实施第三注入工艺，以在邻近所述栅极结构的所述半导体衬底的表面区域附近形成有源源极/漏极区；

实施第二热过程以活化所述有源源极/漏极区中的所述第一杂质；和

其中所述MOS器件的特征在于65nm或更小的线宽。

2.权利要求1的方法，其中所述半导体衬底为单晶硅、硅锗、或绝缘体上硅(SOI)。

3.权利要求1的方法，其中使用硼物质提供所述P型杂质。

4.权利要求3的方法，其中所述硼物质包括BF₂物质、硼烷、乙硼烷。

5.权利要求1的方法，其中所述锗物质包括以5×10¹⁴～5×10¹⁶原子/cm²的剂量和以10keV～50keV的能量提供的锗烷。

6.权利要求5的方法，其中所述锗物质改善所述轻度掺杂的漏极区的薄层电阻性能。

7.权利要求1的方法，其中所述第二注入工艺包括至少硼物质和碳物质的共注入。

8.权利要求7的方法，其中通过烃提供所述碳物质。

9.权利要求7的方法，其中所述碳物质降低由所述第二注入工艺所导致的瞬间增强扩散。

10.权利要求1的方法，其中所述轻度掺杂的漏极区的特征在于500埃或更小的深度。

11.权利要求1的方法，其中所述第一热过程是在800摄氏度～1000摄氏度的温度下提供的峰值退火工艺。

12.权利要求1的方法，其中所述第一热过程是在750摄氏度～1000摄氏度的温度下提供的、时间为5秒～15秒的快速热退火(RTA)工艺。

13.权利要求1的方法，其中所述第一杂质是N-型杂质。

14.权利要求1的方法，其中所述第一杂质是P-型杂质。

15.权利要求1的方法，其中所述第二热过程是在700摄氏度～1000摄氏度的温度下提供的、时间为5秒～10秒的快速热过程。