[发明专利]禁带宽度梯度化MgxZn1－xO光电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种禁带宽度梯度化Mg_xZn_1-xO光电薄膜，其特征在于所述 薄膜是由Mg_xZn_1-xO构成的具有若干层的薄膜，x＝0～0.25；所述Mg 组分沿垂直衬底方向梯度变化。

2.一种权利要求1所述禁带宽度梯度化Mg_xZn_1-xO光电薄膜的 制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)将二乙醇胺同溶剂充分混合，再加入不同配比的醋酸锌和 醋酸镁混匀，100～130℃加热后冷却到室温，成为X值不同的多个 的Mg_xZn_1-xO溶液，调节浓度，得到相应的多个前驱液；

(2)通过步骤(1)中得到的多个前驱液在衬底上制备薄膜，调 整甩胶参数和甩胶时间，甩胶后的湿膜在热平板上预处理，重复甩胶、 预处理、甩胶，得到Mg_xZn_1-xO薄膜；所述的预处理处理温度为350 ℃，时间为5分钟；

(3)Mg_xZn_1-xO薄膜干燥后在500～850℃下退火，冷却到室温， 制得禁带宽度梯度化Mg_xZn_1-xO光电薄膜。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的溶剂是乙 二醇甲醚。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中二乙 醇胺同总金属离子的摩尔比为0.6～0.9∶1。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的衬底是硅、 石英或蓝宝石衬底。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述在衬底上制 备薄膜是采用旋涂法制备。