[发明专利]一种超纯硅烷气瓶的内壁处理方法无效
| 申请号: | 200810024680.5 | 申请日: | 2008-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN101250704A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
| 发明(设计)人: | 林培川 | 申请(专利权)人: | 南京特种气体厂有限公司 |
| 主分类号: | C23F15/00 | 分类号: | C23F15/00 |
| 代理公司: | 南京知识律师事务所 | 代理人: | 程化铭 |
| 地址: | 211113*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅烷 内壁 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种盛装电子气体的气瓶的内壁处理方法,尤其是超纯硅烷气瓶的内壁处理方法。
技术背景
气瓶有多种材料制成,最常用的有碳钢和铝合金气瓶,还有不锈钢制成的气瓶。用于盛装电子气体的气瓶,国外多涉及到专利技术的经特殊处理的气瓶,比如Praxair的ULTRAPURE高压和低压不锈钢瓶、ULTRACLEAN特殊处理的钢瓶、FIBRALUME铝合金瓶等;法液空的UNIQUAL钢瓶等。国内也发展起来了内壁阳极氧化、镀镍-锌合金层、涂氟材料、磷化处理等等,但大部分用于各种仪表校准气体的盛装,现有技术中未见用于电子气体盛装气瓶的内壁处理方法。内壁阳极氧化主要针对铝合金气瓶,并不适用于钢质气瓶;涂氟材料主要是涂含氟的材料,会带来氟化物污染;磷化处理虽然可用于钢质材料的表面保护,同样带来磷化物污染,且由于其磷化层的多孔性,容易吸附水分等活泼性气体,会带来新的污染源。所以,采用钢质气瓶盛装硅烷等电子气体,气瓶内壁的“离子”杂质是主要要考虑除去的对象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,在于填补现有技术的空白,提供一种超纯硅烷气瓶的内壁处理方法。
本发明一种超纯硅烷气瓶的内壁处理方法,其步骤如下:
1、内壁打磨:将处理的气瓶去掉瓶阀,放置于旋转的气瓶滚动机上,用石英砂加去离子水打磨;倒出石英砂和去离子水;
2、内壁检查:用内窥镜检查气瓶内壁,不能有末打磨干净的锈疤和不光滑的表面,如有则返回步骤1,否则进入步骤3。
3、内壁清洗:采用去离子水清洗气瓶内表面,直到清洗后的电导率≤0.1uS/cm为合格;倒置气瓶,倒出瓶内残留的水;
4、内壁镀镍:内壁镀锌镍复合镀层;再按步骤3清洗内壁;
5、气瓶烘干:将内壁清洗合格的气瓶装上瓶阀,放入105~110℃的真空干燥箱,对气瓶抽真空至≤10Pa;
6、处理结果检查:真空干燥合格的气瓶,充入6N高纯氢至3~4MPa,放置24小时后测量气瓶内气体的含水量,≤0.5ppm为合格;不合格,放掉氢气,返回步骤4操作,合格为止;
7、放掉氢气,抽真空至≤1Pa,灌装硅烷,放置10天以上,分析硅烷中各项杂质含量,特别是含水量要≤2ppm;30天,60天后再次分析,如各项杂质指标无变化,则处理完毕;否则,返回步骤5。
本发明方法,采用本法处理的气瓶盛装高纯硅烷,不会引入金属化合物等“离子”源,采用去离子水清洗,可避免带入上述讲的“离子”,内壁打磨、镀镍合金层,可避免气瓶内壁吸附水等杂质气体,保证高纯硅烷的纯度和长期稳定性。
附图说明
图1为本发明方法流程示意框图;
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细说明。
实施例:如图1所示,本发明一种超纯硅烷气瓶的内壁处理方法,其步骤如下:
1、内壁打磨:将处理的气瓶去掉瓶阀,放置于旋转的气瓶滚动机上,用直径6~8mm的石英砂4~6kg放入气瓶,加去离子水10~15kg旋转气瓶,打磨3~4小时。倒出石英砂和去离子水(如为含油气瓶,则事先用苯、丙酮、乙醇溶剂清洗后,用去离子水清洗干净,建议未清洗干净的含油气瓶不要使用)。
2、内壁检查:用内窥镜检查气瓶内壁,不能有未打磨干净的锈疤和不光滑的表面,如有,重新打磨,再次检查。
3、内壁清洗:采用去离子水清洗气瓶内表面,直到清洗后的电导率≤0.1uS/cm为合格(测量时注意空气中二氧化碳的影响)。倒置气瓶30~60分钟,倒出瓶内残留的水。
4、内壁镀镍:内壁镀锌镍复合镀层。再按步骤3清洗内壁。
5、气瓶烘干:将内壁清洗合格的气瓶装上瓶阀,放入105~110℃的真空干燥箱,对气瓶抽真空至≤10Pa。
6、处理结果检查:真空干燥合格的气瓶,充入6N高纯氢至3~4MPa,放置24小时后测量气瓶内气体的含水量,≤0.5ppm为合格。不合格,放掉氢气,返回步骤4操作,合格为止。
7、放掉氢气,抽真空至≤1Pa,灌装硅烷,放置10天以上,分析硅烷中各项杂质含量,特别是含水量要≤2ppm。30天,60天后再次分析,如各项杂质指标无明显变化,证明气瓶内壁处理效果良好,可以将气瓶用于盛装高纯硅烷。否则,返回步骤5,重新处理。
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